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  • 第1题:

    突触前抑制产生的原因是

    A.突触前膜预先去极化

    B.突触前膜预先超极化

    C.突触前膜预先抑制

    D.突触前膜预先发生兴奋

    E.突触前膜预先由兴奋变为抑制


    正确答案:A

  • 第2题:

    抑制性突触电位产生的机制是

    A.突触前膜释放抑制性递质
    B.递质与突触后膜受体结合
    C.突触后膜对Cl-通透性增加
    D.后膜去极化

    答案:A,B,C
    解析:

  • 第3题:

    突触前抑制的产生机制是

    A.突触前膜阈电位水平抬高

    B.突触前末梢递质释放减少

    C.突触前末梢释放抑制性递质

    D.抑制性中间神经元兴奋

    E.突触后膜产生IPSP


    D

  • 第4题:

    突触前抑制是由于突触前膜

    A、产生抑制性突触后电位
    B、释放抑制性递质
    C、产生超极化
    D、兴奋性递质释放减少
    E、递质耗竭

    答案:D
    解析:
    通过改变突触前膜的活动,最终使突触后神经元兴奋性降低,从而引起抑制的现象叫做突触前抑制。机制是突触前膜被兴奋性递质去极化,使膜电位绝对值减少,当其发生兴奋时动作电位的幅度减少,释放的兴奋性递质减少,导致兴奋性突触后电位(EPSP)减少,表现为抑制。特点是抑制发生的部位是突触前膜,电位为去极化而不是超极化,潜伏期长,持续时间长

  • 第5题:

    突触前抑制产生的机制是

    A.突触前神经元阈电位水平抬高

    B.突触前末梢递质释放减少

    C.突触前末梢释放抑制性神经递质

    D.存在抑制性中间神经元的介导


    兴奋性递质释放减少