产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是A、突触前末梢递质释放减少B、突触后膜Ca2+电导降低C、突触后膜Na+电导降低D、中间神经元受抑制E、突触后膜发生超极化

题目
产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是

A、突触前末梢递质释放减少

B、突触后膜Ca2+电导降低

C、突触后膜Na+电导降低

D、中间神经元受抑制

E、突触后膜发生超极化


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  • 第1题:

    抑制性突触后电位产生的离子机制是

    ANa+内流

    BK+内流

    CCa2+内流

    DCI-内流

    EK+外流


    D[解析]抑制性突触后电位产生的机制是某种抑制性递质作用于突触后膜,使膜上CI"通道开放,引起Cr内流,从而使膜电位发生超极化,选项D正确。

  • 第2题:

    产生抑制性突触后电位的主要离子流是( )


    正确答案:D
    考查考生对突触传递原理的理解。
    在突触传递过程中,当突触前神经元有冲动传到末梢时,突触前膜去极化,去极化达一定水平时,末梢膜上电压门控钙通道开放,细胞外Ca2+进入末梢轴浆内,由此触发突触囊泡的出胞,以量子式释放的形式,将囊泡内的递质倾囊释出,这一过程称为兴奋一分泌耦联,而其他离子流对轴突末梢释放神经递质均无关,故第3题的正确答案是C。K+外流、Na+内流和Cl-内流均与突触传递引起突触后电位的产生有关,而H+外流则与此无关;Na+内流可使突触膜去极化,引起兴奋性突触后电位;K+外流和Cl-内流均可使突触后膜超极化,引起抑制性突触后电位,但通常以Cl-内流为主。故第4题的正确答案是D。

  • 第3题:

    抑制性突触后电位(IPSP)的产生是后膜对哪种离子通透性增加

    A.Na+

    B.K+

    C.Ca2+

    D.Cl-


    Cl-

  • 第4题:

    产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。


    正确答案:D

  • 第5题:

    抑制性突触后电位产生的离子机制是()
    A.内流
    B.内流
    C. 内流
    D. 内流
    E. 外流


    答案:D
    解析:
    突触后膜在递质作用下发生超极化,使该突触后神经元的兴奋下降,这种电位变化称为抑制性突触后电位(IPSP)。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜,使后膜上的配体门控 通道开放,引起内流,突触后膜发生超极化。