描述CVD反应中的8个步骤。

题目

描述CVD反应中的8个步骤。

相似考题

1.描述均数抽样误差大小的指标是A、SB、S/n√C、CVD、MSE、σ

2.描述率的抽样误差的指标是A.s B.s C.CV D.R E.Q-Q

3.下面量数中，有单位的是()A.μ B.Mdn C.CV D.S

4.2）步骤二中发生反应的化学方程式是_____，该反应___________（填“是”或“不是”）步骤一中反应的逆反应。

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  • 第1题：

    描述均数抽样误差大小的指标是

    A.S
    B.S/n√
    C.CV
    D.MS
    E.σ

    答案：B
    解析：
    描述均数抽样误差大小的指标是均数的标准误。

  • 第2题：

    CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？


    正确答案: CVD过程包括两个部分：一、反应剂在边界层中的输运二、反应剂在衬底表面的化学反应 存在两种极限情况：①hg>>ks，Cs趋于Cg，淀积速率受表面化学反应速率控制。反应剂数量：主气流输运到硅片表面的﹥表面化学反应所需要的②hg<0e−EA/KT淀积速率随温度的升高而成指数增加。②高温情况下，质量输运控制由于反应速度的加快，输运到表面的反应剂数量低于该温度下表面化学反应所需要的数量，这时的淀积速率将转为由质量输运控制，基本不再随温度变化而变化。

  • 第3题：

    氨合成反应机理可以分成（）个步骤来描述。

    • A、5
    • B、6
    • C、7
    • D、3

    正确答案:C

  • 第4题：

    关于CVD涂层，（）描述是不正确的。

    • A、CVD对高速钢有极强的粘附性
    • B、CVD是在700～1050℃高温的环境下通过化学反应获得的
    • C、CVD涂层具有高耐磨性
    • D、CVD表示化学气相沉积

    正确答案:A

  • 第5题：

    操作顺序图法的分析步骤，至少应包括下列步骤中的一个（）.

    • A、规定作业顺序
    • B、存在错误操作顺序的描述
    • C、反应时间分析
    • D、人-机连接分析

    正确答案:B

  • 第6题：

    用于描述均数的抽样误差大小的指标是（）。

    • A、S
    • B、S/√n
    • C、CV
    • D、R
    • E、S2

    正确答案:B

  • 第7题：

    问答题
    为适应CVD技术的需要，选择原料、产物及反应类型等通常需满足什么要求？

    正确答案： （1）反应剂在室温或不太高的温度下最好是气态或有较高的蒸汽压而易于挥发成蒸汽的液态或活固态物质，且有很高的纯度；
    （2）通过沉积反应已与生成所需要的材料沉积物，其他副产物均易挥发而留在气相排出或易于分离；
    （3）反应易于控制。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    单选题
    操作顺序图法的分析步骤，至少应包括下列步骤中的一个（）.
    A

    规定作业顺序

    B

    存在错误操作顺序的描述

    C

    反应时间分析

    D

    人-机连接分析


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    关于CVD涂层，（）描述是不正确的。
    A

    CVD表示化学气相沉积

    B

    CVD是在700~1050℃高温的环境下通过化学反应获得的

    C

    CVD涂层具有高耐磨性

    D

    CVD对高速钢有极强的粘附性


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    半导体工艺中常用的三种CVD反应器类型

    正确答案： APCVD://常压化学气相淀积  
    LPCVD: 低压化学气相淀积  
    PECVD://等离子增强型化学气相淀积
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    什么是CVD中的气缺现象？解决气缺现象的措施？

    正确答案： 1）气缺现象：一个入气口的反应室，沿气流方向反应剂不断消耗，浓度降低，因此膜厚不均。当气体反应剂被消耗而出现的反应剂浓度改变的现象。
    2）解决措施：
    ○1在水平方向上逐渐提高温度来加快反应速度，从而提高淀积速率，补偿气缺效应的影响，减小各处淀积厚度差别。
    ○2采用分布式的气体入口，就是反应剂气体通过一系列气体口注入列反应室中。需要特殊设计的淀积室来限制注入气体所产生的气流交叉效应。
    ○3增加反应室中的气流速度。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？

    正确答案： 质量传输限制淀积速率：淀积速率受反应物传输速度限制，即不能提供足够的反应物到衬底表面，速率对温度不敏感（如高压CVD.。
    反应速度限制淀积速率：淀积速率受反应速度限制，这是由于反应温度或压力过低（传输速率快），提供驱动反应的能量不足，反应速率低于反应物传输速度。LPCVD属于：反应速度限制淀积速率；APCVD属于：质量传输限制淀积速率。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别？


    正确答案:1、质量传输限制淀积速率
    淀积速率受反应物传输速度限制，即不能提供足够的反应物到衬底表面，速率对温度不敏感（如高压CVD）。
    2、反应速度限制淀积速率
    淀积速率受反应速度限制，这是由于反应温度或压力过低（传输速率快），提供驱动反应的能量不足，反应速率低于反应物传输速度。 可以通过加温、加压提高反应速度。

  • 第14题：

    a-Si：H以及合金材料，用（）、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。


    正确答案:等离子CVD

  • 第15题：

    非基元反应中，反应速度由最慢的反应步骤决定。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    简述CVD技术的反应原理


    正确答案:CVD是一种材料表面改性技术。它利用气相间的反应，在不改变基体材料的成分和不削弱的基体材料的强度条件下，赋予材料表面一些特殊的性能。CVD是建立在化学反应基础上的，要制备特定性能材料首先要选定一个合理的沉积反应。用于CVD技术的通常有如下所述五种反应类型。

  • 第17题：

    在反应历程中，决速步骤是反应最慢的一步。


    正确答案:正确

  • 第18题：

    问答题
    CVD过程中采用等离子体的优点有哪些？

    正确答案： 1.更高的工艺温度（250-450℃）；
    2.对高的深宽比间隙有好的填充能力（用高密度等离子体）；
    3.淀积的膜对硅片有优良的粘附能力；
    4.高的淀积速率；
    5.少的针孔和空洞，因而有高的膜密度；
    6.工艺温度低因而应用广泛。
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    问答题
    化学气相淀积（CVD）的概念，有哪五种基本化学反应？

    正确答案： （1）高温分解：通常在无氧的条件下，通过加热化合物分解
    （2）光分解：利用辐射使化合物的化学键断裂分解
    （3）还原反应：反应物分子和氢发生的反应
    （4）氧化反应：反应物原子或分子和氧发生的反应
    （5）氧化还原反应：还原反应和氧化反应的组合，反应后形成两种新的化合物
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    根据缩芯模型，描述H2S和ZnO反应的宏观步骤。

    正确答案： 要点：
    ①H2S外扩散；
    ②H2S内扩散；
    ③H2S与ZnO在未反应芯表面上反应；
    ④H2O内扩散；
    ⑤H2O外扩散。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    填空题
    CVD过程中化学反应所需的激活能来源有（）、（）、（）等。

    正确答案： 热能,等离子体,光能
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    简述CVD技术的反应原理

    正确答案： CVD是一种材料表面改性技术。它利用气相间的反应，在不改变基体材料的成分和不削弱的基体材料的强度条件下，赋予材料表面一些特殊的性能。CVD是建立在化学反应基础上的，要制备特定性能材料首先要选定一个合理的沉积反应。用于CVD技术的通常有如下所述五种反应类型。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    CVD系统包括热壁式CVD系统和冷壁式CVD系统，在冷壁式CVD系统中侧壁温度与沉底温度相等。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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