同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。

第1题：

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 

• A、 增大
• B、 不变
• C、 减小
• D、 都有可能

第2题：

探头的选择包括探头的型式、频率 、晶片尺寸和斜探头K值等

第3题：

超声波探头的近场长度近似与晶片直径成正比，与波长成反比。

第4题：

超声波探头所选用压电晶片的频率与晶片厚度有密切关系，频率越高，晶片越薄。

第5题：

探头晶片面积相同，高频率探头的声束扩散角要比低频率探头的声束扩散角大。

第6题：

斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。

第7题：

探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。

第8题：

第9题：

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

超声波探头的半扩散角近似与晶片直径成正比，与波长成反比。

第14题：

探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的（）。它随频率的增加、晶片直径的减小而（）。

第15题：

探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率增加、晶片直径减小而增大。

第16题：

探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随（）。

• A、频率增加、晶片直径减小而减小
• B、频率或直径减小而增大
• C、频率增加、晶片直径减小而增大

第17题：

探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。

第18题：

说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？

第19题：

第20题：

第21题：

第22题：

第23题：