斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能

第1题：

斜探头横波声场近场区分布在（）介质中，近场长度随入射角的增大而（）。

第2题：

面积相同、频率相同的圆晶片和方晶片，超声场的近场区场区相同（）

第3题：

直探头近场区在两种介质中的分布用N表示：（）。

第4题：

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，近场长度随入射角的增大而（）。

第5题：

探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。

第6题：

说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？

第7题：

超声场近场区长度和指向角的大小都取决于超声波的波长及晶片的尺寸。

第8题：

第9题：

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。

第14题：

频率、晶片尺寸等条件相同时，在同一介质中，横波声束指向性比纵波差。

第15题：

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，近场长度随入射角的增大而缩短。

第16题：

直探头近场区在两种介质中的分布用N表示：N= D²/4λ－L₁C₁/C₂。

第17题：

斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。

第18题：

紧接压电晶片，声压分布不规则的超声场区域称为近场区。

第19题：

探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。

第20题：

第21题：

第22题：

第23题：