CCD传感器的转换模式为（）A、将原稿反射的光转换成相应的电信号B、将原稿反射的光转换成相应的数字信号C、将原稿反射的电转换成相应的光信号D、将原稿反射的数字转换成相应的电信号
题目
CCD传感器的转换模式为（）
- A、将原稿反射的光转换成相应的电信号
- B、将原稿反射的光转换成相应的数字信号
- C、将原稿反射的电转换成相应的光信号
- D、将原稿反射的数字转换成相应的电信号
相似考题
参考答案和解析
正确答案:A
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第1题：
与普通相机不同的是数码相机采用（）代替感光胶片。
- A、CCd感光原件
- B、CCd运算原件
- C、CCD转换原件
- D、CCd检测原件
正确答案:A -
第2题：
机器如何侦测原稿大小（）
- A、宽度、长度检感器、CCD
- B、CCD
- C、宽度传感器、CCD
- D、长度传感器、CCD
正确答案:A -
第3题：
CCD扫描器采用（CCD）的电子自动扫描光电转换器（）
- A、电荷耦合器件
- B、激光为光源
正确答案:A -
第4题：
CCD扫描器采用电荷耦合器件（CCD）的电子自动扫描光电转换器。
正确答案:正确 -
第5题：
CCD固态图像传感器如何实现光电转换、电荷存储和转移过程，在工程测试中有哪些应用？
正确答案: ⑴电荷的产生、存储：构成CCD的基本单元是MOS电容器，结构中半导体以P型硅为例，金属电极和硅衬底为电容器的两极，SiO2为介质，在金属电极上加正向电压G时，由此形成的电场穿过SiO2薄层，吸引硅中的电子在Si-SiO2的界面上，而排斥Si-SiO2界面附近的空穴，因此形成一个表面带负电荷，而里面没有电子和空穴的耗尽层。与此同时，Si-SiO2界面处的电势发生相应变化，若取硅衬底内的电位为零，表面势S的正值方向朝下，当金属电极上所加的电压G超过MOS晶体上开启电压时，Si-SiO2界面可存储电子。由于电子在那里势阱较低，可以形象的说，半导体表面形成了电子势阱，当光照射到CCD硅片表面时，在栅极附近的耗尽区吸收光子产生电子-空穴对。这是在栅极电压的作用下，空穴被排斥出耗尽区而电子被收集在势阱中，形成信号电荷存储起来，如果G保持时间不长，则在各个MOS电容器的势阱中储积的电荷取决于照射到该点的光强。
⑵电荷包的转移：若MOS电容器之间排列足够紧密，使得相邻的MOS电容的势阱相互沟通，即相互耦合，那么就可以使信号电荷在各个势阱中转移，并尽可能的向表面势S最大的位置堆积，因此，在各个栅极上加以不同幅值的正向脉冲，即可以改变他们对应的MOS的表面势，亦可以改变势阱的深度，从而使信号电荷由浅阱向深阱自由移动。
CCD固态图像传感器在工程测试中的应用：
⑴物位、尺寸、形状、工件损伤的测量；
⑵作为光学信息处理的输入环节，如电视摄像、传真技术、光学文字识别和图像识别的输入环节；
⑶自动生产过程的控制敏感元件。 -
第6题：
固态图像传感器（CCD）的电荷是如何产生、存储、转移及输出的？
正确答案:（1）电荷的产生、存储：构成CCD的基本单元是MOS电容器，结构中半导体以P型硅为例，金属电极和硅衬底是电容器两极，SiO2为介质。在金属电极（栅极）上加正向电压G时，由此形成的电场穿过SiO2薄层，吸引硅中的电子在Si―SiO2的界面上，而排斥Si－SiO2界面附近的空穴，因此形成一个表面带负电荷，而里面没有电子和空穴的耗尽区。与此同时，Si－SiO2界面处的电势（称表面势S）发生相应变化，若取硅衬底内的电位为零，表面势S的正值方向朝下，当金属电极上所加的电压G超过MOS晶体上开启电压时，Si－SiO2界面可存储电子。由于电子在那里势能较低，可以形象地说，半导体表面形成了电子势阱，习惯称贮存在MOS势阱中的电荷为电荷包。当光信号照射到CCD硅片表面时，在栅极附近的耗尽区吸收光子产生电子—空穴对。这时在栅极电压G的作用下，其中空穴被排斥出耗尽区而电子则被收集在势阱中，形成信号电荷存储起来。如果G持续时间不长，则在各个MOS电容器的势阱中蓄积的电荷量取决于照射到该点的光强。因此，某MOS电容器势阱中蓄积的电荷量，可作为该点光强的度量。
（2）电荷包的转移：若MOS电容器之间排列足够紧密（通常相邻MOS电容电极间隙小于3μm），使相邻MOS电容的势阱相互沟通，即相互耦合，那么就可使信号电荷（电子）在各个势阱中转移，并力图向表面势S最大的位置堆积。因此，在各个栅极上加以不同幅值的正向脉冲G，就可改变它们对应的MOS的表面势S，亦即可改变势阱的深度，从而使信号电荷由浅阱向深阱自由移动。
（3）电荷的输出：在输出端P型硅衬底上扩散形成输出二极管，二极管加反压，在PN结形成耗尽层。输出栅OG加压使电荷转移到二极管的耗尽区，作为二极管的少数载流子形成反向电流输出。输出电流的大小与电荷大小成正比，通过负载变为电压输出。 -
第7题：
CCD图像传感器的基本单元是一个（）电容器。
正确答案:MOS -
第8题：
试述固态图像传感器（CCD）的基本结构。
正确答案:CCD传感器由MOS电容组成，金属和Si衬底是电容器两极,SiO2为介质。在N型或P型硅衬底上生成一层厚度约120nm的二氧化硅层，然后在二氧化硅层上依一定次序沉积金属电极，形成MOS电容器阵列，最后加上输入和输出端便构成了CCD器件。 -
第9题：
V2533-A5发动机在EPR传感器失效的情况下，将会：（）
- A、EEC转换到人工N1模式
- B、EEC转换到额定的N1模式
- C、EEC转换到非额定的N1模式
- D、以上都不对
正确答案:B -
第10题：
填空题CCD的尺寸是指CCD图像传感器感光（）的尺寸。正确答案： 面对角解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题简述CCD图像传感器的优缺点正确答案： 优点：在低照度条件下，感光度好；噪声小，色彩还原度好。
缺点：功耗高，价格高。由于采用特殊工艺，目前基本被日本厂商垄断。解析： 暂无解析 -
第12题：
判断题由于MOS图像传感器的分辨率和低照度等到主要指标暂时还比不上CCD图像传感器，因此，在电视监控系统中使用摄像机仍为CCD摄像机。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第13题：
由于MOS图像传感器的分辨率和低照度等到主要指标暂时还比不上CCD图像传感器，因此，在电视监控系统中使用摄像机仍为CCD摄像机。
正确答案:正确 -
第14题：
使用文本模式复印和使用图片模式复印的差别主要是（）
- A、将CCD模拟信号转换成数字信号时的二值化和多值化差
- B、将数字信号转换成激光控制信号的差别
- C、扫描分辨率存在差别
- D、打印分辨率存在差别
正确答案:A -
第15题：
CCD的尺寸是指CCD图像传感器感光（）的尺寸。
正确答案:面对角 -
第16题：
数码相机的图像传感器件CCD指的是（）
- A、数字信号处理器件
- B、液晶显示器
- C、模/数转换设备
- D、电荷耦合器件
正确答案:D -
第17题：
简述CCD图像传感器的优缺点
正确答案: 优点：在低照度条件下，感光度好；噪声小，色彩还原度好。
缺点：功耗高，价格高。由于采用特殊工艺，目前基本被日本厂商垄断。 -
第18题：
电阻应变式传感器是以电阻应变片为转换原件的传感器。
正确答案:正确 -
第19题：
CMOS和CCD图像传感器，（）传感器功耗低。
正确答案:CMOS -
第20题：
CCD尺寸指的是CCD图像传感器感光面面积尺寸。
正确答案:错误 -
第21题：
填空题传感器按转换原理分类为：（）、（）和（）传感器。正确答案： 结构型,物性型,复合型解析： 暂无解析 -
第22题：
单选题CCD扫描器采用（CCD）的电子自动扫描光电转换器（）A电荷耦合器件
B激光为光源
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题CCD固态图像传感器如何实现光电转换、电荷存储和转移过程，在工程测试中有哪些应用？正确答案： ⑴电荷的产生、存储：构成CCD的基本单元是MOS电容器，结构中半导体以P型硅为例，金属电极和硅衬底为电容器的两极，SiO2为介质，在金属电极上加正向电压G时，由此形成的电场穿过SiO2薄层，吸引硅中的电子在Si-SiO2的界面上，而排斥Si-SiO2界面附近的空穴，因此形成一个表面带负电荷，而里面没有电子和空穴的耗尽层。与此同时，Si-SiO2界面处的电势发生相应变化，若取硅衬底内的电位为零，表面势S的正值方向朝下，当金属电极上所加的电压G超过MOS晶体上开启电压时，Si-SiO2界面可存储电子。由于电子在那里势阱较低，可以形象的说，半导体表面形成了电子势阱，当光照射到CCD硅片表面时，在栅极附近的耗尽区吸收光子产生电子-空穴对。这是在栅极电压的作用下，空穴被排斥出耗尽区而电子被收集在势阱中，形成信号电荷存储起来，如果G保持时间不长，则在各个MOS电容器的势阱中储积的电荷取决于照射到该点的光强。
⑵电荷包的转移：若MOS电容器之间排列足够紧密，使得相邻的MOS电容的势阱相互沟通，即相互耦合，那么就可以使信号电荷在各个势阱中转移，并尽可能的向表面势S最大的位置堆积，因此，在各个栅极上加以不同幅值的正向脉冲，即可以改变他们对应的MOS的表面势，亦可以改变势阱的深度，从而使信号电荷由浅阱向深阱自由移动。
CCD固态图像传感器在工程测试中的应用：
⑴物位、尺寸、形状、工件损伤的测量；
⑵作为光学信息处理的输入环节，如电视摄像、传真技术、光学文字识别和图像识别的输入环节；
⑶自动生产过程的控制敏感元件。解析： 暂无解析