如下,关于MOSFET的开关速度,表述正确的是:A.MOSFET不存在少子储存效应,开通关断过程非常迅速。B.MOSFET是场控器件,静态时几乎不需输入电流,开通关断过程时间长。C.MOSFET是场控器件,静态时需输入大电流,开通关断过程时间长。D.MOSFET是场控器件,静态时栅极需输入大电流,开通关断过程非常迅速。

题目

如下,关于MOSFET的开关速度,表述正确的是:

A.MOSFET不存在少子储存效应,开通关断过程非常迅速。

B.MOSFET是场控器件,静态时几乎不需输入电流,开通关断过程时间长。

C.MOSFET是场控器件,静态时需输入大电流,开通关断过程时间长。

D.MOSFET是场控器件,静态时栅极需输入大电流,开通关断过程非常迅速。


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  • 第1题:

    IGBT有哪些缺点?( )

    A、开关速度不及电力MOSFET

    B、开关速度比电力MOSFET快

    C、电压、电流容量不及GTO

    D、电压、电流容量比GTO大


    正确答案:A,C

  • 第2题:

    开关电源中MOSFET管稳态工作时,栅板控制电流很小。()

    此题为判断题(对,错)。


    参考答案:正确

  • 第3题:

    已知电路如图所示,设开关在t=0时刻断开,那么,如下表述中正确的是(  )。



    答案:C
    解析:

    在一定条件下电路达到一种稳定状态,当条件改变,电路就向新的稳定状态变化,电路从一种稳态向另一种稳态变化的过程称为过渡过程或暂态过程。产生暂态过程的外因是电路发生换路,例如接通或断开等;内因是电路中含有储能元件。它们所储存的能量不能跃变,其积累和消耗都需要一定的时间,故而发生暂态过程。

  • 第4题:

    开关电源中MOSFET管稳态工作时,栅板控制电流很小。()


    正确答案:正确

  • 第5题:

    功率开关器件:主要采用()或();现在已经采用一种新型的开关组合方式:MOSFET和IGBT()。


    正确答案:MOSFET;IGBT;并联

  • 第6题:

    高频开关电源中,常用的电力电子器件为()

    • A、二极管
    • B、MOSFET、IGBT
    • C、电感
    • D、电容

    正确答案:B

  • 第7题:

    目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。


    正确答案:错误

  • 第8题:

    从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。


    正确答案:最大容量递增顺序为Power MOSFET、IGBT、SCR;开关频率递增顺序为SCR、IGBT、Power MOSFET;SCR为电流型驱动;而Power MOSFET和IGBT为电压型驱动。

  • 第9题:

    IGBT是一个复合型的器件,它是()。

    • A、GTR驱动的MOSFET
    • B、MOSFET驱动的GTR
    • C、MOSFET驱动的晶闸管
    • D、MOSFET驱动的GTO

    正确答案:B

  • 第10题:

    试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。


    正确答案:Power MOSFET为单极性器件,没有少数载流子存贮效应,反向恢复时间很短。

  • 第11题:

    单选题
    GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中,哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件()。
    A

    GTO和GTR;

    B

    TRIAC和IGBT;

    C

    MOSFET和IGBT;

    D

    SCR和MOSFET;


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    填空题
    与GTR相比MOSFET的优点有:开关速度快、损耗低、驱动功率小和()等优点。

    正确答案: 无二次击穿
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    开关电源中采用的MOSFET功率管,功耗较大。()

    此题为判断题(对,错)。


    参考答案:错误

  • 第14题:

    目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。 ()

    此题为判断题(对,错)。


    答案:错

  • 第15题:

    与GTR相比MOSFET的优点有:开关速度快、损耗低、驱动功率小和()等优点。


    正确答案:无二次击穿

  • 第16题:

    艾默生开关电源的DC/AC变换器中,以下不作为功率开关管使用的时()。

    • A、SCR
    • B、IGBT
    • C、MOSFET

    正确答案:A

  • 第17题:

    艾默生开关电源的DC/AC变换器中,以下不作为功率开关管使用的是()。

    • A、SCR
    • B、IGBT
    • C、MOSFET

    正确答案:A

  • 第18题:

    开关电源中采用的MOSFET功率管,功耗较大。()


    正确答案:错误

  • 第19题:

    目前开关电源的开关器件有()。

    • A、SCR
    • B、IGBT
    • C、EMI
    • D、MOSFET

    正确答案:B,D

  • 第20题:

    在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是(),单管输出功率最大的是(),应用最为广泛的是()。


    正确答案:MOSFET;GTO;IGBT

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    正确答案:略有下降;小于

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    填空题
    在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是(),单管输出功率最大的是(),应用最为广泛的是()。

    正确答案: MOSFET,GTO,IGBT
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    问答题
    试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

    正确答案: Power MOSFET为单极性器件,没有少数载流子存贮效应,反向恢复时间很短。
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    填空题
    IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而(),开关速度()电力MOSFET 。

    正确答案: 略有下降,小于
    解析: 暂无解析