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  • 第1题:

    电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。


    参考答案:P沟道;N沟道;耗尽型;增强型;N沟道增强型

  • 第2题:

    增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压()

    此题为判断题(对,错)。


    答案:错

  • 第3题:

    对于绝缘栅场效应管,无论增强型还是耗尽型,只要是N沟道器件,UDS应为负值,衬底接最低电位,UGS越向正值方向增大,硒越小


    正确答案:错误

  • 第4题:

    结型场效应管的类型有()。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第5题:

    场效应管中,夹断电压表示漏极电流为()时的栅源电压。


    正确答案:0

  • 第6题:

    耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。


    正确答案:正确

  • 第7题:

    结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。


    正确答案:正确

  • 第8题:

    使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为(夹断)电压,N沟道JFET的UGS(off)()0,P沟道JFET的UGS(off)()0。


    正确答案:<;>

  • 第9题:

    当栅源电压等于零时,增强型FET()导电沟道,结型FET的沟道电阻()。


    正确答案:无;最小

  • 第10题:

    场效应管中,Idss表示栅源电压为零时的()电流。


    正确答案:漏极

  • 第11题:

    EMOS管存在导电沟道时,栅源之间的电压必定大于零。


    正确答案:错误

  • 第12题:

    单选题
    结型场效应管利用栅源极间所加的()来改变导电沟道电阻。
    A

    反偏电压

    B

    反向电流

    C

    正偏电压

    D

    正向电流


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    结型场效应管的类型有()。

    A.N沟道结型场效应管

    B.P沟道结型场效应管

    C.N沟道增强型MOS管

    D.P沟道增强型MOS管

    E.N沟道耗尽型MOS管

    F.P沟道耗尽型MOS管


    参考答案:AB

  • 第14题:

    N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()

    • A、正极性
    • B、负极性
    • C、零
    • D、不能确定

    正确答案:A

  • 第15题:

    绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种


    正确答案:正确

  • 第16题:

    场效应管的类型有()。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第17题:

    结型场效应管利用删源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。

    • A、反偏电压
    • B、反向电流
    • C、正偏电压
    • D、正向电流

    正确答案:A

  • 第18题:

    MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和()两种类型。


    正确答案:耗尽型

  • 第19题:

    当uGS=0时,漏源间存在导电沟道的称为()型场效应管;漏源间不存在导电沟道的称为()型场效应管。


    正确答案:耗尽;增强

  • 第20题:

    某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第21题:

    根据栅—源电压为零时,导电沟道是否存在,将场效应管分为()和耗尽型。


    正确答案:增强型

  • 第22题:

    场效应管从结构上可分为两大类:()、MOS;根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:耗尽型、()。


    正确答案:结型;增强型

  • 第23题:

    利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失,可以将MOS管作为开关器件使用。


    正确答案:正确

  • 第24题:

    单选题
    N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()
    A

    正极性

    B

    负极性

    C

    D

    不能确定


    正确答案: C
    解析: 暂无解析