比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。
题目
比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。
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第1题：
IGBT有哪些缺点?( )
A、开关速度不及电力MOSFET
B、开关速度比电力MOSFET快
C、电压、电流容量不及GTO
D、电压、电流容量比GTO大
正确答案:A,C
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第2题：
试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。参考答案：GTR的容量中等，工作频率一般在10kHz以下，电流控制型器件，所需驱动功率较大。MOSFET器件容量较小，工作频率最高，可达100kHz以上，电压控制型器件，所需驱动功率最小，但其通态压降大，开通损耗相应较大。IGBT的容量和GTR的容量属同一等级，但为电压控制型器件，驱动功率小，工作频率高，有取代GTR之势。
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第3题：
UPS常用的电力电子器件有：（）
- A、GTR
- B、MOSFET；
- C、IGBT；
- D、SCR
正确答案:B,C,D -
第4题：
说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
正确答案:绝缘栅双极晶体管IGBT：
（1）优点：开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。
（2）缺点：开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。
电力晶体管GTR：
（1）优点：开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题。
门极可关断晶闸管GTO：
（1）优点：通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低。
电力场效应管MOSFET：
（1）优点：开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好。
（2）缺点：电流容量小、耐压低。 -
第5题：
在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
正确答案:MOSFET；GTO；IGBT -
第6题：
试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
正确答案:Power MOSFET为单极性器件，没有少数载流子存贮效应，反向恢复时间很短。 -
第7题：
电力MOSFET的基本特性有（）、（）和（）三种。
正确答案:转移特性；开关特性；输出特性 -
第8题：
问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？正确答案： IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，ⅠGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。解析： 暂无解析 -
第9题：
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。正确答案： GTO解析： 暂无解析 -
第10题：
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。AGTO和GTR；
BTRIAC和IGBT；
CMOSFET和IGBT；
DSCR和MOSFET；
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第11题：
填空题IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而（），开关速度（）电力MOSFET 。正确答案： 略有下降,小于解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。正确答案： 门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。解析： 暂无解析 -
第13题：
SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。参考答案：多子导电;相当;大;高频大功率
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第14题：
功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。
正确答案:MOSFET；IGBT；并联 -
第15题：
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
正确答案: IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。 -
第16题：
从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。
正确答案:最大容量递增顺序为Power MOSFET、IGBT、SCR；开关频率递增顺序为SCR、IGBT、Power MOSFET；SCR为电流型驱动；而Power MOSFET和IGBT为电压型驱动。 -
第17题：
IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而（），开关速度（）电力MOSFET 。
正确答案:略有下降；小于 -
第18题：
简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
正确答案:门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。 -
第19题：
电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
正确答案:电压；GTR；GTO；晶闸管 -
第20题：
填空题电力MOSFET的基本特性有（）、（）和（）三种。正确答案： 转移特性,开关特性,输出特性解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。正确答案： 绝缘栅双极晶体管IGBT：
（1）优点：开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。
（2）缺点：开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。
电力晶体管GTR：
（1）优点：开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题。
门极可关断晶闸管GTO：
（1）优点：通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低。
电力场效应管MOSFET：
（1）优点：开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好。
（2）缺点：电流容量小、耐压低。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。正确答案： Power MOSFET为单极性器件，没有少数载流子存贮效应，反向恢复时间很短。解析： 暂无解析 -
第23题：
填空题电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。正确答案： 电压,GTR,GTO,晶闸管解析： 暂无解析 -
第24题：
问答题从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。正确答案： 最大容量递增顺序为Power MOSFET、IGBT、SCR；开关频率递增顺序为SCR、IGBT、Power MOSFET；SCR为电流型驱动；而Power MOSFET和IGBT为电压型驱动。解析： 暂无解析