更多“晶体管结构特点是:发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。”相关问题
  • 第1题:

    晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()


    正确答案:对

  • 第2题:

    晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。()

    此题为判断题(对,错)。


    参考答案:对

  • 第3题:

    关于三极管,不正确的描述是()

    A.基区薄且低掺杂

    B.发射区高掺杂

    C.发射结面积大

    D.集电结面积大


    答案:B

  • 第4题:

    在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是()。

    • A、基区
    • B、集电区
    • C、发射区
    • D、饱和区

    正确答案:C

  • 第5题:

    晶体管分为三层分别为()

    • A、发射区
    • B、放大区
    • C、集电区
    • D、基区
    • E、扩张区

    正确答案:A,C,E

  • 第6题:

    三极管具有()的特点。

    • A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度
    • B、基区非常薄
    • C、集电区掺杂浓度较小,集电结的面积比发射结的面积大
    • D、以上三项

    正确答案:D

  • 第7题:

    晶体三极管放大作用需满足的条件有()。

    • A、内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度
    • B、内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度
    • C、外部条件,发射结正偏,集电结反偏
    • D、外部条件,发射结反偏。集电结反偏

    正确答案:A

  • 第8题:

    由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同,因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。


    正确答案:正确

  • 第9题:

    三极管能放大的内因是:发射区掺杂浓度()、基区宽度()且杂质浓度()、集电结面积();外部条件是:发射结处于()偏置,集电结处于()偏置。


    正确答案:高;窄;低;大;正向;反向

  • 第10题:

    以下属于三极管放大的外部条件是()

    • A、发射区掺杂浓度高
    • B、集电结反偏
    • C、基区薄且掺杂浓度低
    • D、集电结面积大

    正确答案:B

  • 第11题:

    填空题
    在设计与制造晶体管时,为提高晶体管的电流放大系数,应当()基区宽度,()基区掺杂浓度。

    正确答案: 减小,降低
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    填空题
    发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时,不但不能提高(),反而会使其()。造成发射区重掺杂效应的原因是()和()。

    正确答案: 注入效率,下降,发射区禁带变窄,俄歇复合增强
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    晶体三极管放大作用需满足的条件有()。

    A.内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度

    B.内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度

    C.外部条件,发射结正偏,集电结反偏

    D.外部条件,发射结反偏。集电结反偏


    参考答案:A

  • 第14题:

    晶体管能够放大的内部条件是()。

    A.两个背靠背的PN结

    B.自由电子与空穴都参与导电

    C.有三个掺杂浓度不同的区域

    D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大


    参考答案:D

  • 第15题:

    晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。()

    此题为判断题(对,错)。


    参考答案:正确

  • 第16题:

    晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。


    正确答案:正确

  • 第17题:

    晶体三极管的基区一般做得很薄,且掺杂很轻,多数载流子的浓度很高。


    正确答案:错误

  • 第18题:

    晶体管热噪声主要存在于()电阻内。

    • A、基区
    • B、发射区
    • C、集电区
    • D、发射区和集电区

    正确答案:A

  • 第19题:

    当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时,()可以提高晶体管最大工作电流。

    • A、增大基区掺杂浓度
    • B、减小基区宽度
    • C、减小发射结面积
    • D、增大集电区杂质浓度

    正确答案:D

  • 第20题:

    关于三极管的结构特点,以下说法不正确的为()

    • A、基区很薄
    • B、基区掺杂浓度最高
    • C、发射区掺杂浓度最高
    • D、发射结的结面积小于集电结的结面积

    正确答案:B

  • 第21题:

    为什么三极管的基区掺杂浓度小而且做得很薄?


    正确答案:由于基区和发射区载流子是不同类型的,因此发射区的多数载流在正向电压的作用下扩散到基区后,要与基区的多数载流子复合。为使较多的载流子到达集电区,发射区扩散到基区的载流子应尽快通过基区,因而基区要做得薄一些。另外,基区的多数载流子浓度要较小,即掺杂浓度要小。

  • 第22题:

    晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。


    正确答案:正确

  • 第23题:

    填空题
    无源基区重掺杂的目的是()。

    正确答案: 为了降低体电阻
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    判断题
    标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析