下列半导体材料中，属于直接带隙半导体的是（）。A．硅B．锗C．砷化镓D．磷化镓

题目

下列半导体材料中，属于直接带隙半导体的是（）。

A．硅

B．锗

C．砷化镓

D．磷化镓

相似考题

1.N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。()此题为判断题(对，错)。

2.加到半导体中的杂质可以分成()种类型,一种杂质加到半导体中去后,在半导体中会产生许多带负电的(),这种半导体叫做()半导体。

3.由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。()此题为判断题(对，错)。

4.在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结

更多“下列半导体材料中，属于直接带隙半导体的是（）。”相关问题

  • 第1题：

    在纯净半导体材料中掺人微量五价元素磷，可形成（）

    • A、N型半导体
    • B、P型半导体
    • C、PN结
    • D、导体

    正确答案:A

  • 第2题：

    N型半导体中的自由电子多于空穴，而P型半导体中的空穴多于自由电 子，是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电？


    正确答案:N型半导体中五价杂质原子的一个价电子被挤入更外层而挣脱原子核束缚成为自由电子时，该杂质原子便失去一个电子而成为带正电的离子。P型半导体三阶的杂质原子共价键上空位被填补，在相邻半导体原子上形成一个带正电的空穴，但该杂质原子则多一个价电子，从而成为带负电的离子。不论N型、P型半导体，多数载流子浓度远远高于少数载流子，但电荷量平衡，整体不带电。

  • 第3题：

    在纯净的半导体材料中掺入微量五价元素磷，可形成（）。

    • A、N型半导体
    • B、PN结
    • C、P型半导体
    • D、导体

    正确答案:A

  • 第4题：

    N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。


    正确答案:错误

  • 第5题：

    下列不属于本征半导体的是（）

    • A、纯净半导体
    • B、P型半导体
    • C、杂质半导体
    • D、N型半导体

    正确答案:B,C,D

  • 第6题：

    对半导体而言，其正确的说法是（）

    • A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电
    • B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电
    • C、P型半导体和N型半导体本身都不带电
    • D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子

    正确答案:C

  • 第7题：

    由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。


    正确答案:错误

  • 第8题：

    P型半导体和N型半导体中都有载流子，但就半导体器件本身都是（）

    • A、不带电的
    • B、带正点的
    • C、带负电的

    正确答案:A

  • 第9题：

    问答题
    N型半导体中的自由电子多于空穴，而P型半导体中的空穴多于自由电 子，是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电？

    正确答案： N型半导体中五价杂质原子的一个价电子被挤入更外层而挣脱原子核束缚成为自由电子时，该杂质原子便失去一个电子而成为带正电的离子。P型半导体三阶的杂质原子共价键上空位被填补，在相邻半导体原子上形成一个带正电的空穴，但该杂质原子则多一个价电子，从而成为带负电的离子。不论N型、P型半导体，多数载流子浓度远远高于少数载流子，但电荷量平衡，整体不带电。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    填空题
    与块体材料相比，半导体纳米团簇的带隙展宽，展宽量与颗粒尺寸成（）比。

    正确答案： 反
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    半导体材料中锗和硅属于（）结构，砷化镓属于（）结构。

    正确答案： 金刚石,闪锌矿
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    N型半导体中多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。


    正确答案:错误

  • 第14题：

    下列化合物半导体中，属于Ⅱ-Ⅵ型半导体的是（）

    • A、GaAs
    • B、GeSe
    • C、ZnS
    • D、PbS
    • E、CuGaSe2

    正确答案:B,C

  • 第15题：

    在纯净的半导体材料中掺入微量五价元素磷，可形成N形半导体。（）


    正确答案:正确

  • 第16题：

    N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。


    正确答案:错误

  • 第17题：

    P型半导体带正电，N型半导体带负电。


    正确答案:错误

  • 第18题：

    N型半导体的多数载流子是自由电子，因此N型半导体带负电。


    正确答案:错误

  • 第19题：

    要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。


    正确答案:正确

  • 第20题：

    N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。


    正确答案:错误

  • 第21题：

    填空题
    半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。

    正确答案： 被电子占有的几率为1/2的能级,禁带中央,电子和空穴数相等,电子数多于空穴数,N,空穴数多于电子数,P
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？

    正确答案： 这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    下列说法正确的是（）。
    A

    N型半导体带负电

    B

    P型半导体带正电

    C

    PN结型半导体为电中性体

    D

    PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    问答题
    直接带隙和间接带隙半导体有哪些区别？并分别给出一个实际的例子。

    正确答案： （1）直接带隙：
    A.价带极大值和导带极小值都位于k空间的原点；
    B.价带的电子跃迁到导带时，只要求能量的改变，而电子的准动量不发生变化，称为直接跃迁（c）直接跃迁对应的半导体材料称为直接禁带半导体。
    例子：GaAs，GaN，ZnO
    （2）间接带隙：
    A.价带的极大值和导带的极小值不位于k空间的原点上；
    B.价带的电子跃迁到导带时，不仅要求电子的能量要改变，电子的准动量也要改变，称为间接跃迁；
    C.间接跃迁对应的半导体材料称为间接禁带半导体。
    例子：Si，Ge
    解析： 暂无解析

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