1、晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度　　　　，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度　　　　，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。A．高；低B．高；高C．低；低D．低；高

题目

1、晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度　　　　，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度　　　　，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。

A．高；低

B．高；高

C．低；低

D．低；高

相似考题

1.三极管哪个区的掺杂浓度最高()A、基区B、发射区C、集电区D、不确定

2.三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

3.晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()

4.关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

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  • 第1题：

    晶体三极管放大作用需满足的条件有()。

    A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度

    B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度

    C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏

    D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏


    参考答案：A

  • 第2题：

    关于三极管,不正确的描述是()

    A.基区薄且低掺杂

    B.发射区高掺杂

    C.发射结面积大

    D.集电结面积大


    答案：B

  • 第3题：

    晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。

    • A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度
    • B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度
    • C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏
    • D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏

    正确答案:A

  • 第5题：

    由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（）

    • A、基区很薄
    • B、基区掺杂浓度最高
    • C、发射区掺杂浓度最高
    • D、发射结的结面积小于集电结的结面积

    正确答案:B

  • 第7题：

    三极管能放大的内因是：发射区掺杂浓度（）、基区宽度（）且杂质浓度（）、集电结面积（）；外部条件是：发射结处于（）偏置，集电结处于（）偏置。


    正确答案:高；窄；低；大；正向；反向

  • 第8题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）

    • A、温度
    • B、掺杂元素
    • C、掺杂浓度
    • D、掺杂工艺

    正确答案:A

  • 第9题：

    晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。


    正确答案:正确

  • 第10题：

    单选题
    杂质半导体中少数载流子浓度（）
    A

    与掺杂浓度和温度无关

    B

    只与掺杂浓度有关

    C

    只与温度有关

    D

    与掺杂浓度和温度有关


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

    正确答案： 扩散杂质所形成的浓度分布：杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。离子注入杂质所形成的浓度分布：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。
    （1）.离子注入掺杂的优势：相对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能更正确地控制掺杂原子数目、掺杂深度、横向扩散效应小和较低的工艺温度，较低的温度适合对化合物半导体进行掺杂，因为高温下化合物的组分可能发生变化，另外，较低的温度也使得二氧化硅、氮化硅、铝、光刻胶、多晶硅等都可以用作选择掺杂的掩蔽膜，热扩散方法的掩膜必须是耐高温材料。
    （2）离子注入掺杂的缺点：主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此，后续的退化处理用来去除这些损伤。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。

    正确答案： 注入效率,下降,发射区禁带变窄,俄歇复合增强
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    晶体管能够放大的内部条件是()。

    A.两个背靠背的PN结

    B.自由电子与空穴都参与导电

    C.有三个掺杂浓度不同的区域

    D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大


    参考答案：D

  • 第14题：

    在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。

    • A、基区
    • B、集电区
    • C、发射区
    • D、饱和区

    正确答案:C

  • 第15题：

    三极管具有（）的特点。

    • A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度
    • B、基区非常薄
    • C、集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大
    • D、以上三项

    正确答案:D

  • 第16题：

    当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时，（）可以提高晶体管最大工作电流。

    • A、增大基区掺杂浓度
    • B、减小基区宽度
    • C、减小发射结面积
    • D、增大集电区杂质浓度

    正确答案:D

  • 第17题：

    根据晶体管的结构特点，（）区的掺杂浓度最低。（）区的掺杂浓度最高。


    正确答案:基；发射

  • 第18题：

    杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、掺杂浓度
    • D、晶格缺陷

    正确答案:C

  • 第19题：

    为什么三极管的基区掺杂浓度小而且做得很薄？


    正确答案:由于基区和发射区载流子是不同类型的，因此发射区的多数载流在正向电压的作用下扩散到基区后，要与基区的多数载流子复合。为使较多的载流子到达集电区，发射区扩散到基区的载流子应尽快通过基区，因而基区要做得薄一些。另外，基区的多数载流子浓度要较小，即掺杂浓度要小。

  • 第20题：

    以下属于三极管放大的外部条件是（）

    • A、发射区掺杂浓度高
    • B、集电结反偏
    • C、基区薄且掺杂浓度低
    • D、集电结面积大

    正确答案:B

  • 第21题：

    填空题
    晶体管的注入效率是指（）电流与（）电流之比。为了提高注入效率，应当使（）区掺杂浓度远大于（）区掺杂浓度。

    正确答案： 从发射区注入基区的少子,总的发射极,发射,基
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。

    正确答案： 减小,降低
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

    正确答案： 大,衬底,严重
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    判断题
    标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

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