CRH1动车组的被动牵引模式中用（）给直流环节预充电到400V.A.BCMB.预充电单元C.LCMD.充电接触器及充电电阻。

第1题：

18、DRAM比SRAM慢，可能的原因包括

A．DRAM需要刷新

B．DRAM存储体行列地址线复用

C．DRAM读之前需要预充电

D．DRAM存储单元采用了双译码结构

第2题：

请说明CRH2动车组牵引变流器中间直流各组成环节的原理与作用。

第3题：

2、HVIL监测在进行预充电前完成。

第4题：

6、关于预充电电路说法正确的是（）

A．预充电电路由脉冲整流电路、预充电开关及预充电电阻构成，由变压器牵引绕组供电

B．预充电电路由一个脉冲整流功率模块、预充电开关及预充电电阻构成，由变压器牵引绕组供电

C．预充电电路由一个脉冲整流功率模块、预充电开关及预充电电阻构成，由变压器辅助绕组供电

D．预充电电路由又称为平滑电路。

第5题：

普锐斯混动SMRP定义是位于连接至预充电电阻器的蓄电池负极侧的继电器。