此题为判断题(对,错)。
第1题:
第二类回火脆性的产生原因_____
A.P、Sn、Sb、As等杂质在奥氏体晶界偏聚
B.Ni、Cr、Mn、Si等合金元素在奥氏体晶界偏聚
C.残余奥氏体转变
D.晶界析出薄膜状渗碳体
第2题:
1、细化晶粒尺寸可以改善材料低温脆性,提高材料的韧性,下列原因中正确的是()? (A)晶界是裂纹扩展的阻力。 (B)晶粒减小则晶界前塞积的位错数减少,有利于降低应力集中。 (C)晶界总面积增加,使晶界上杂质浓度减少,避免产生沿晶脆性断裂。 (D)晶界的强度总是高于晶内的强度。
第3题:
细化晶粒尺寸可以改善材料低温脆性,提高材料的韧性,下列原因中正确的是()? (A)晶界是裂纹扩展的阻力。 (B)晶粒减小则晶界前塞积的位错数减少,有利于降低应力集中。 (C)晶界总面积增加,使晶界上杂质浓度减少,避免产生沿晶脆性断裂。 (D)晶界的强度总是高于晶内的强度。
第4题:
10、合金元素在钢中的偏聚,偏聚位置通常是钢的晶体缺陷处,如晶界、亚晶界、相界、位错、空位等。
第5题:
下面对晶界结构及性质描述不正确的是()。
A.晶界上原子(离子)排列较晶粒内疏松
B.晶界易受腐蚀
C.晶界是杂质原子(离子)的聚集处
D.晶界处熔点高于晶粒