参考答案和解析
正确答案:D
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  • 第1题:

    突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

    A.Ca2+

    B.Cl

    C.Na+

    D.K+

    E.Mg2+


    参考答案:B

  • 第2题:

    抑制性突触后电位产生的离子机制主要是

    A.Na+内流

    B.K+外流

    C.Ca2+内流

    D.Cl-内流

    E.Na+内流和K+外流


    正确答案:D

  • 第3题:

    可产生抑制性突触后电位的离子基础是

    A.K+

    B.Na+

    C.Ca2+

    D.Cl—

    E.Mg2+


    正确答案:D

  • 第4题:

    A.K
    B.Na
    C.Ca
    D.Cl
    E.H

    可产生抑制性突触后电位的离子基础是

    答案:D
    解析:

    冲动传到突触前末梢,触发前膜中的Ca通道开放,一定量的Ca顺浓度差流入突触内,在Ca的作用下一定数量的突触泡将递质外排到突触间隙,此过程称胞吐。被释放的递质扩散到突触间隙,到达突触后膜,与位于后膜中的受体结合,故1题选C。抑制性突触后电位因为Cl通透性的增大导致突触后膜超极化而引起短路效应,使兴奋性突触后电位的去极化减少,而抑制了动作电位的发生。故2题选D。

  • 第5题:

    抑制性突触后电位产生的离子机制是()
    A.内流
    B.内流
    C. 内流
    D. 内流
    E. 外流


    答案:D
    解析:
    突触后膜在递质作用下发生超极化,使该突触后神经元的兴奋下降,这种电位变化称为抑制性突触后电位(IPSP)。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜,使后膜上的配体门控 通道开放,引起内流,突触后膜发生超极化。

  • 第6题:

    可产生抑制性突触后电位的离子基础是

    A.K+
    B.Na+
    C.Ca2+
    D.Cl-
    E.H+

    答案:D
    解析:

  • 第7题:

    突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

    A.Ca2+
    B.Cl-
    C.Na+
    D.K+
    E.Mg2+


    答案:B
    解析:

  • 第8题:

    抑制性突触后电位产生的离子机制是()

    • A、Na+内流
    • B、K+内流
    • C、Ca2+内流
    • D、Cl-内流
    • E、K+外流

    正确答案:D

  • 第9题:

    单选题
    膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位?(  )
    A

    B

    C

    D

    E


    正确答案: E
    解析:
    当突触后膜对Cl通透性升高时,突触后膜处于超极化状态,产生抑制性突触后电位,细胞膜兴奋性下降。

  • 第10题:

    单选题
    抑制性突触后电位产生的离子机制是()
    A

    Na+内流

    B

    K+内流

    C

    Ca2+内流

    D

    Cl-内流

    E

    K+外流


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    单选题
    抑制性突触后电位产生的离子机制是()。
    A

    Na+内流

    B

    K+内流

    C

    Ca2+内流

    D

    Clˉ内流

    E

    K+外流


    正确答案: A
    解析: 突触后膜电位在递质作用下发生超极化,使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性降低,这种电位变化称为抑制性突触后电位(IPSP)。其产生机制为:抑制性中间神经元释放抑制性递质→递质作用于突触后膜受体→突触后膜对Clˉ通透性升高→突触后膜发生超极化,即产生抑制性突触后电位。

  • 第12题:

    单选题
    抑制性突触后电位的形成主要与下列哪种离子有关()
    A

    Cl—

    B

    K+

    C

    Na+

    D

    Fe2+

    E

    Ca2+


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    产生抑制性突触后电位的主要离子基础是

    A.K+

    B.Na+

    C.Ca2+

    D.Cl-

    E.Mg2+


    正确答案:D

  • 第14题:

    产生抑制性突触后电位的主要离子流是( )


    正确答案:D
    考查考生对突触传递原理的理解。
    在突触传递过程中,当突触前神经元有冲动传到末梢时,突触前膜去极化,去极化达一定水平时,末梢膜上电压门控钙通道开放,细胞外Ca2+进入末梢轴浆内,由此触发突触囊泡的出胞,以量子式释放的形式,将囊泡内的递质倾囊释出,这一过程称为兴奋一分泌耦联,而其他离子流对轴突末梢释放神经递质均无关,故第3题的正确答案是C。K+外流、Na+内流和Cl-内流均与突触传递引起突触后电位的产生有关,而H+外流则与此无关;Na+内流可使突触膜去极化,引起兴奋性突触后电位;K+外流和Cl-内流均可使突触后膜超极化,引起抑制性突触后电位,但通常以Cl-内流为主。故第4题的正确答案是D。

  • 第15题:

    可产生抑制性突触后电位的离子基础是
    A. K+
    B. Na+
    C. Ca2+
    D. Cl-
    E. H+


    答案:D
    解析:
    本题考核抑制性突触后电位的产生机制。Cl-是产生抑制性突触后电位的离子基础。突触前神经元轴突末梢释放抑制性递质→与突触后膜上相应的受体结合后→提高突触后膜对Cl-、K+等离子的通透性(尤其是Cl- ) →Cl-内流(为主)、K+外流→突触后膜超极化,产生抑制性突触后电位(IPSP)。

  • 第16题:

    可产生抑制性突触后电位的离子基础是

    A. K+
    B. Na+
    C. Ca2+
    D. Cl-
    E. H+

    答案:D
    解析:

  • 第17题:

    抑制性突触后电位产生的离子机制是
    A. Na+内流
    B. K+内流
    C. Ca 2+内流
    D. Cl -内流
    E. K+外流


    答案:D
    解析:

  • 第18题:

    A.Na
    B.Cl
    C.Mg
    D.Ca
    E.K

    突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

    答案:B
    解析:

  • 第19题:

    膜主要对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位 (  )


    A.K+

    B.Na+

    C.Ca2+

    D.Cl-

    E.H+

    答案:D
    解析:

  • 第20题:

    抑制性突触后电位的形成主要与下列哪种离子有关()

    • A、Cl—
    • B、K+
    • C、Na+
    • D、Fe2+
    • E、Ca2+

    正确答案:A

  • 第21题:

    单选题
    下列哪项是抑制性突触后电位产生的离子机制?(  )
    A

    Na+内流

    B

    K+内流

    C

    Ca2+内流

    D

    Cl内流

    E

    K+外流


    正确答案: C
    解析:
    突触后膜电位在递质作用下发生超极化,使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性降低,这种电位变化称为抑制性突触后电位(IPSP)。其产生机制为抑制性中间神经元释放抑制性递质→递质作用于突触后膜受体→突触后膜对Cl通透性升高→突触后膜发生超极化,即产生抑制性突触后电位。故本题答案为D项。

  • 第22题:

    单选题
    产生抑制性突触后电位时,突触后膜对哪种离子通透性升高?(  )
    A

    B

    C

    D

    E


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    单选题
    可产生抑制性突触后电位的离子基础是()
    A

    K+

    B

    H+

    C

    Ca2+

    D

    Cl-

    E

    Na+


    正确答案: A
    解析: 暂无解析