金属基底冠除气的方法是A.低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB.低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC.高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD.高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE.高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min

题目

金属基底冠除气的方法是

A.低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min

B.低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min

C.高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3min

D.高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min

E.高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min


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  • 第1题:

    PFM冠上釉时的炉温是

    A、与体瓷的烧结温度相同

    B、低于体瓷烧结温度6~8℃

    C、低于体瓷烧结温度10~20℃

    D、高于体瓷烧结温度6~8℃

    E、高于体瓷烧结温度10~20℃


    参考答案:B

  • 第2题:

    金属烤瓷材料与金屑的匹配形式中错误的是

    A、烤瓷的热胀系数均稍小于金属的热胀系数

    B、为获得烤瓷与金属的良好结合,可在烤瓷中加入氧化锡

    C、烤瓷材料的烧结温度应低于金属的熔点

    D、烤瓷与金属的结合界面必须保持干燥

    E、热胀系数在金瓷匹配的影响因素畔占主要地位


    参考答案:D

  • 第3题:

    关于影响合金与烤瓷结合的因素的说法,正确的是

    A.合金表面氧化膜的厚度一般小于0.2μm
    B.贵金属合金基底冠的厚度为0.2~0.3mm
    C.机械性的结合力起最大的作用
    D.贵金属合金上瓷前需预氧化
    E.金属的熔点要低于烤瓷材料的烧结温度

    答案:D
    解析:

  • 第4题:

    金属烤瓷材料与金属的匹配形式中错误的是

    A、烤瓷的热胀系数均稍小于金属的热胀系数

    B、为获得烤瓷与金属的良好结合,可在烤瓷中加入氧化锡

    C、烤瓷材料的烧结温度应低于金属的熔点

    D、烤瓷与金属的结合界面必须保持干燥

    E、热胀系数在金瓷匹配的影响因素中占主要地位


    参考答案:D

  • 第5题:

    除气、氧化的方法是

    A.低于体瓷烧结温度6~8℃

    B.高于体瓷烧结温度10℃

    C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

    D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡

    E.防止磨料成分污染金属表面


    参考答案:D