下列程序执行后,SI寄存器中的内容为( )。 MOV SI, -1 MOV CL, 4 SAL SI, CL AND SI, 7FFFH OR SI, 7800H NOT SI
A.0FH
B.FOH
C.FFH
D.00H
第1题:
LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃,采用热分解法,反应方程式为:()。
A.SiCl4→Si+2Cl2
B.SiH4 →Si+2H2
C.Si3N4→3Si+2N2
D.SiH2Cl2→Si+Cl2+H2
第2题:
把数据100存入[SI]指明的存储单元中,可以是下面哪条指令。
A.MOV [SI], 100
B.MOV BYTE PTR [SI], 100
C.MOV 100,BYTE PTR [SI]
D.MOV [SI], BYTE PTR 100
第3题:
已知(DS)= 1234H,(SI)= 124H,(12464H)= 30ABH,(12484H)= 464H。 LEA SI, [SI] MOV AX, [SI] MOV [SI+22H], 1200H LDS SI, [SI+20H] ADD AX, SI 上述程序段执行后:(DS)=________,(SI)=________,(AX)=________
第4题:
LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃,采用热分解法,反应方程式为:()。
A.SiCl4→Si+2Cl2
B.Si3N4→3Si+2N2
C.SiH4 →Si+2H2
D.SiH2Cl2→Si+Cl2+H2
第5题:
BUFF为字节类型变量,DATA为常量,指出下列指令中源操作数的寻址方式: (1)MOV AX, 1200 (2)MOV AL, BUFF (3)SUB BX, ES: [2000H] (4)MOV CX, [SI] (5)MOV DX, DATA[SI] (6)MOV BL, [SI][BX] (7)MOV [DI], AX (8)ADD AX, DATA[DI+BP] (9)PUSHF (10)MOV BX, ES:[SI]
第6题:
指出下列指令中操作数的寻址方式 (1) MOV BX, 20H (2) MOV AX, [1245H] (3) MOV DX, [SI] (4) MOV 100[BX], AL (5) MOV [BP][SI], AX (6) MOV [BX+100][SI], AX (7) MOV [1800H], AL (8) MOV [SI], AX