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  • 第1题:

    因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多,所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。()

    此题为判断题(对,错)。


    参考答案:错

  • 第2题:

    晶体管具备电流放大的内部条件是()。

    A.基区薄而其杂质浓度低

    B.基区杂质浓度高

    C.降低发射区杂质浓度

    D.加强电子在基区的复合


    参考答案:A

  • 第3题:

    扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。()

    此题为判断题(对,错)。


    答案:错

  • 第4题:

    晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。


    正确答案:正确

  • 第5题:

    每一类晶体管都是由基区、发射区和()三个不同的导电区域构成的。


    正确答案:集电区

  • 第6题:

    晶体管具备电流放大的内部条件是()。

    • A、基区薄而其杂质浓度低
    • B、基区杂质浓度高
    • C、降低发射区杂质浓度
    • D、加强电子在基区的复合

    正确答案:A

  • 第7题:

    造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。()

    • A、基区电导调制效应,发射区有偏压效应
    • B、基区有偏压效应,发射区电导调制效应
    • C、基区电导调制效应,基区有偏压效应
    • D、发射区有偏压效应,基区有偏压效应

    正确答案:C

  • 第8题:

    在杂质半导体中,少数载流子的浓度与()有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第9题:

    在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第10题:

    三极管能放大的内因是:发射区掺杂浓度()、基区宽度()且杂质浓度()、集电结面积();外部条件是:发射结处于()偏置,集电结处于()偏置。


    正确答案:高;窄;低;大;正向;反向

  • 第11题:

    判断题
    扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    填空题
    在异质结双极晶体管中,发射区的禁带宽度()于基区的禁带宽度,从而使异质结双极晶体管的()大于同质结双极晶体管的。

    正确答案: 大,注入效率
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。()

    此题为判断题(对,错)。


    参考答案:对

  • 第14题:

    晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。()

    此题为判断题(对,错)。


    参考答案:正确

  • 第15题:

    第二类回火脆性产生的原因是()的缘故。

    • A、晶粒边界杂质浓度增高
    • B、晶粒边界杂质浓度降低
    • C、晶粒内部杂质浓度增高
    • D、晶粒内部杂质浓度降低

    正确答案:A

  • 第16题:

    晶体管分为三层分别为()

    • A、发射区
    • B、放大区
    • C、集电区
    • D、基区
    • E、扩张区

    正确答案:A,C,E

  • 第17题:

    晶体管热噪声主要存在于()电阻内。

    • A、基区
    • B、发射区
    • C、集电区
    • D、发射区和集电区

    正确答案:A

  • 第18题:

    当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时,()可以提高晶体管最大工作电流。

    • A、增大基区掺杂浓度
    • B、减小基区宽度
    • C、减小发射结面积
    • D、增大集电区杂质浓度

    正确答案:D

  • 第19题:

    结晶溶液中,杂质对结晶的影响有()。

    • A、杂质浓度低,对结晶无明显影响
    • B、杂质浓度高,影响结晶纯度
    • C、杂质浓度高,改变晶习
    • D、杂质浓度高,影响结晶的理化性质和生物活性

    正确答案:C

  • 第20题:

    三极管的放大作用一方面要满足内部条件,即要求()杂质浓度要远大于()杂质浓度,同时基区厚度要很();另一方面要满足外部条件,即发射结要()偏置、集电结要()偏置。


    正确答案:发射区;基区;小;正向;反向

  • 第21题:

    扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。


    正确答案:错误

  • 第22题:

    半导体三极管工作过程中()。

    • A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度;
    • B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度;
    • C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度;
    • D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。

    正确答案:A

  • 第23题:

    单选题
    结晶溶液中,杂质对结晶的影响有()。
    A

    杂质浓度低,对结晶无明显影响

    B

    杂质浓度高,影响结晶纯度

    C

    杂质浓度高,改变晶习

    D

    杂质浓度高,影响结晶的理化性质和生物活性


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    填空题
    每一类晶体管都是由基区、发射区和()三个不同的导电区域构成的。

    正确答案: 集电区
    解析: 暂无解析