14、以下关于PN结特性的说法错误的是（）。A．二极管整流电路利用的是PN结的单向导电特性。B．PN结的电容效应可用于整流。C．PN结的反向击穿特性和单向导电特性都可以用于稳压。D．半导体材料的本征激发特性可用于制造热敏或光敏元件
题目
14、以下关于PN结特性的说法错误的是（）。
A．二极管整流电路利用的是PN结的单向导电特性。
B．PN结的电容效应可用于整流。
C．PN结的反向击穿特性和单向导电特性都可以用于稳压。
D．半导体材料的本征激发特性可用于制造热敏或光敏元件
相似考题
参考答案和解析
PN结的电容效应可用于整流。
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第1题：
简述PN结的基本特性。
正确答案: 当PN结正向偏置于导通状态时，有较大的电流沿P→N方向流动；当PN结反向偏置处于截止状态时，只有很小的电流沿N→P方向流动。这种正偏导通反偏截止的特性就是PN结最基本的特性---单向导电性。 -
第2题：
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。
- A、PN结的单向导电性
- B、PN结的反向击穿特性
- C、PN结的正向导通特性
- D、PN结的反向截止特性
正确答案:B -
第3题：
PN结的导电特性是（）。
- A、单向导电
- B、反向导电
- C、双向导电
- D、PN结导电
正确答案:A -
第4题：
PN结最重要的特性是单向导电性。
正确答案:正确 -
第5题：
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
正确答案:错误 -
第6题：
晶体三极管是由（）
- A、2个PN结组成，具有单向导电特性
- B、2个PN结组成，具有电压和电流放大特性
- C、2个PN结组成，具有电流放大特性
- D、2个PN结组成，具有电压放大特性
- E、 3个PN结组成，具有电压和电流放大特性
正确答案:C -
第7题：
PN结的基本特性是（）特性。
正确答案:单向导电 -
第8题：
什么是PN结？PN结的主要特性是什么？
正确答案:将P型半导体和N型半导体做在同一个基片上，使得P型半导体和N型半导体之间形成一个交界面，由于两种 半导体中载流子种类和浓度的差异，将产生载流子的相 对扩散运动，多数载流子在交界面处被中和而形成一个 空间电荷区，这就是PN结。
PN结的主要特性是单向导电性。 -
第9题：
稳压管利用了PN结的什么特性？
正确答案:稳压管利用了PN结反向击穿时，在一定的电流范围在，端电压几乎不变的特性。 -
第10题：
半导体稳压管的稳压作用是利用（）
- A、PN结单向导电性实现的
- B、PN结的反向击穿特性实现的
- C、PN结的正向导通特性实现的
- D、PN结的反向截止特性实现的
正确答案:B -
第11题：
问答题什么是PN结？通过PN结可以获得直流电，这是利用了PN结的什么特性？解释其中原因。正确答案： 当p型半导体和n型半导体结合在一起时，由于界面处存在载流子浓度的差异而形成一层很薄的空间电荷区，这是PN结；单向导电性；PN结的空间电荷区中形成一个内电场，当加入正偏压时，空间电荷区变薄，载流子扩散增强，使电流通过，当加入负偏压时，空间电荷区变厚，载流子扩散受阻，电流无法通过，所以PN结有单向导电性。解析： 暂无解析 -
第12题：
填空题PN结特性为（），（）。正确答案： 正向导通,反向截止解析： 暂无解析 -
第13题：
PN结的三个主要特性是？
正确答案: PN结的三个主要特性是：1.（单向导电性）；2.（反向击穿性）；3.温度特性。 -
第14题：
简述PN结的特性。
正确答案: 用特殊工艺把P型N型半导体结合在一起后，在它们的交界面上形成的特殊带电薄层，称PN结。
PN结具有单向导电的特性。所谓单向导电性就是：加正向电压时PN结导通，加反向电压时PN结截止，即正偏导通，反偏截止。
PN结内电场的电压数值，对硅材料来说约为0.7V，对锗材料来说约为0.3V。 -
第15题：
PN结的特性是（）和（）。
正确答案:单向导电性；电容效应 -
第16题：
稳压管是利用（）特性来实现稳压功能的。
- A、PN结的单向导电
- B、PN结的反向击穿
- C、PN结的正向导通
- D、结电容使波形平滑
正确答案:B -
第17题：
简述PN结反向电压—电流特性；反向饱和电流及方向；PN结的电压—电流特性。
正确答案: 特性：势垒区中的电场减小，由Vo变为（Vo+V）；势垒高度减小，由ev0变为e（Vo+V）；势垒区宽度w增大。反向饱和电流：是一个数值很小，且不随反向电压V变化而变化的电流。由n指向p。PN结的电压-电流特性：加上外加电压后，pn结上流过的电流。 -
第18题：
整流二极管的整流作用是利用PN结的（）特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的（）特性。
正确答案:单向导电；反向击穿 -
第19题：
PN结具有（）特性。
正确答案:单向导电 -
第20题：
什么是PN结？PN结最基本的特性是什么？
正确答案: P型半导体和N型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN结。
PN结最基本的特性是单向导电性。 -
第21题：
PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。
正确答案:增强；具有单向导电 -
第22题：
问答题PN结的寄生电容有几种，形成机理，对PN结的工作特性及使用的影响？正确答案： 有两种①势垒电容：随着PN结外加电压的变化，势垒区得宽度会发生变化，从而出现了载流子电荷在势垒区的存入和取出，相当于一个电容的充放电；②扩散电容：PN结两侧的扩散区中，由于电中性要求，其中存储的正负电荷的数量会随外加电压发生变化，相当于一种电容效应，称之为扩散电容。一般情况下，PN结电容等于两者之和，正偏时扩散电容为主，反偏时势垒电容为主。PN结电容会影响其高频特性（fT）、开关（速度）特性。解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题何谓PN结的击穿特性？正确答案： 对PN结施加的反向偏压增大到某一数值时，反向电流突然开始迅速增大，这种现象称为PN结击穿。发生击穿时的反向偏压称为击穿电压，以VB表示。击穿现象中，电流增大基本原因不是由于迁移率的增大，而是由于载流子数目的增加。到目前为止，基本上有三种击穿机构：热电击穿、雪崩击穿和隧道击穿。从击穿的后果来看，可以分为物理上可恢复的和不可恢复的击穿两类。热电击穿属于后一类情况，它将造成PN结的永久性损坏，在器件应用时应尽量避免发生此类击穿。雪崩击穿和隧道击穿属于可恢复性的，即撤掉电压后，在PN结内没有物理损伤。解析： 暂无解析 -
第24题：
问答题PN结是如何形成的？它具有什么特性？正确答案： 如果用工艺的方法，把一边是N型半导体另一边是P型半导体结合在一起，这时N型半导体中的多数载流子电子就要向P型半导体一边渗透扩散。结果是N型区域中邻近P型区一边的薄层A中有一部分电子扩散到P型区域中去了，如图2-6所示（图略）。薄层A中因失去了这一部分电子而带有正电。同样，P型区域中邻近N型区域一边的薄层B中有一部分空穴扩散到N型区域一边去了，如图2-7所示（图略）。结果使薄层B带有负电。这样就在N型和P型两种不同类型半导体的交界面两侧形成了带电薄层A和B（其中A带正电，B带负电）。A、B间便产生了一个电场，这个带电的薄层A和B，叫做PN结，又叫做阻挡层。
当P型区域接到电池的正极，N型区域接到电池的负极时，漂移和扩散的动态平衡被破坏，在PN结中流过的电流很大（这种接法称为正向连接）。这时，电池在PN结中所产生的电场的方向恰好与PN结原来存在的电场方向相反，而且外加电场比PN结电场强，这两个电场叠加后电场是由P型区域指向N型区域的。因此，PN结中原先存在的电场被削弱了，阻挡层的厚度减小了，所以正向电流将随着外加正向电压的增加而迅速地上升。
当P型区域接到电池的负极，N型区域接到电池的正极时，在PN结中流过的电流很小（这种接法称为反向连接）。这是由于外加电压在PN结中所产生的电场方向是由N型区指向P型区，也即与原先在PN结中存在的电场方向是一致的。这两个电场叠加的结果，加强了电场阻止多数载流子的扩散运动，此时，阻挡层的厚度比原来增大，原来漂移和扩散的动态平衡也被破坏了，漂移电流大于扩散电流，正是这个电流造成反向漏电流。PN结的这种性质叫做单向导电性。解析： 暂无解析