MOS场效应管按导电沟道可以分为n沟道器件和p沟道器件,按栅电压为零时是否形成反型层导电沟道可以分为增强型和耗尽型。
第1题:
A、不能形成导电沟道
B、漏极电压为零
C、能够形成导电沟道
D、漏极电流不为零
第2题:
功率场效应晶体管一般为()。
A、N沟道耗尽型
B、N沟道增强型
C、P沟道耗尽型
D、P沟道增强型
第3题:
A.N沟道结型场效应管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.P沟道增强型MOS管
E.N沟道耗尽型MOS管
F.P沟道耗尽型MOS管
第4题:
绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种
第5题:
场效应管的类型有()。
第6题:
场效应管的类型按沟道分为()型和()型;按结构分有()型和()型;按uGS=0时有无导电沟道分为()型和()型。
第7题:
某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()
第8题:
根据栅—源电压为零时,导电沟道是否存在,将场效应管分为()和耗尽型。
第9题:
MOS场效应管按导电沟道划分为N和()两大类。
第10题:
更具结构不同,场效应管分为()
第11题:
利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失,可以将MOS管作为开关器件使用。
第12题:
MOS管和MNS管
N沟道和P沟道
增强型和耗尽型
NPN型和PNP型
第13题:
A.P沟道耗尽型
B.P沟道增强型
C.N沟道耗尽型
D.N沟道增强型
第14题:
第15题:
结型场效应管可分为()。
第16题:
结型场效应管的类型有()。
第17题:
UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有()。
第18题:
MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和()两种类型。
第19题:
当栅源电压等于零时,增强型FET()导电沟道,结型FET的沟道电阻()。
第20题:
场效应管从结构上可分为两大类:()、MOS;根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:耗尽型、()。
第21题:
下列场效应管中,无原始导电沟道的为()。
第22题:
CMOS反相器基本电路包括()
第23题:
P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管
增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管
N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管
N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
第24题:
耗尽型
增强型
P沟道
N沟道