以下材料中，属于直接禁带半导体的是？A．GaAsB．SiC．GeD．GaP

题目

以下材料中，属于直接禁带半导体的是？

A．GaAs

B．Si

C．Ge

D．GaP

相似考题

1.N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。()此题为判断题(对，错)。

2.以下材料中,不属于建筑“三材”的是()。A、钢材B、水泥C、混凝土D、木材

3.以下说法正确的是_______。A.P型半导体带正电B.N型半导体带正电C.PN结为电的中性体D.PN结存在内电场，用导线短接时，有电流产生

4.以下属于台湾禁忌的是( )．A．禁送菊花B．禁送粽子C．禁送核桃D．禁送镜子

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  • 第1题：

    若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()


    答案：对
    解析：

  • 第2题：

    禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。

    • A、越不容易受
    • B、越容易受
    • C、基本不受

    正确答案:A

  • 第3题：

    与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。

    • A、导带也是空带
    • B、满带与导带重合
    • C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子
    • D、禁带宽度较窄

    正确答案:D

  • 第4题：

    P型半导体带正电，N型半导体带负电。


    正确答案:错误

  • 第5题：

    要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    单选题
    材料的禁带宽度，最大的是（）
    A

    金属；

    B

    杂质半导体；

    C

    绝缘体；

    D

    本征半导体；


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    单选题
    如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
    A

    大于

    B

    等于

    C

    小于

    D

    有效的复合中心


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。

    正确答案： 重掺杂后杂质原子间出现轨道交叠，产生能级分裂，扩展为杂质能带，杂质能带中的电子可以在杂质原子间作共有化运动，杂质的电离能减小，杂质能带的带尾进入导带或价带，使电离能变为零，引起禁带变窄。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    多选题
    以下属于台湾禁忌的是（　　）。
    A

    禁送菊花

    B

    禁送粽子

    C

    禁送核桃

    D

    禁送镜子

    E

    禁送扇子


    正确答案： E,B
    解析：
    台湾民间送礼禁忌包括：①禁送粽子。台湾居丧之家习惯包粽子，赠送粽子会被误解为视对方为丧家。②禁送年糕、糕点。台湾过年时常以年糕、糕点作祭品。③禁送扇子。送扇子表示抛弃对方之意。④禁送手帕。台湾吊丧之后有给吊丧者送手帕表示让其与死者断绝来往的风俗。⑤禁送雨伞。台湾方言中“雨伞”与“互散”同音。⑥禁送剪刀。有“一刀两断”之意。⑦禁送镜子。镜子易碎，有破镜难圆之意。⑧禁送钟。“钟”与“终”同音，不吉。⑨禁送产妇鸭子。台湾有“七月半鸭子——不知死期”的歇后语。A项，为法国的禁忌；C项，为法国、德国禁忌。

  • 第10题：

    单选题
    半导体中施主能级的位置位于（）。
    A

    禁带

    B

    满带

    C

    导带

    D

    价带


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    多选题
    以下属于台湾禁忌的是（）。
    A

    禁送菊花

    B

    禁送粽子

    C

    禁送核桃

    D

    禁送镜子


    正确答案： A,C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    半导体材料中锗和硅属于（）结构，砷化镓属于（）结构。

    正确答案： 金刚石,闪锌矿
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）

    A.满带中
    B.导带中
    C.禁带中，但接近满带顶
    D.禁带中，但接近导带底

    答案：D
    解析：
    N型半导体也称为电子型半导体，自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中处于禁带但接近导带底。

  • 第14题：

    以下关于带钢板型的说法正确的是（）

    • A、板带材平直度的简称
    • B、板形的好坏是指板带材横向各部位是否产生波浪或折皱
    • C、决定于板带材沿轧制方向的延伸是否相等
    • D、决定于板带材沿宽度方向的延伸是否相等

    正确答案:A,B,D

  • 第15题：

    以下属于台湾禁忌的是（）。

    • A、禁送菊花
    • B、禁送粽子
    • C、禁送核桃
    • D、禁送镜子

    正确答案:B,D

  • 第16题：

    以下哪种不属于常用辅材（）

    • A、玻璃胶
    • B、油漆笔
    • C、润滑油
    • D、扎带

    正确答案:D

  • 第17题：

    p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。

    • A、满带中
    • B、导带中
    • C、禁带中，但接近满带顶
    • D、禁带中，但接近导带底

    正确答案:C

  • 第18题：

    填空题
    P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。

    正确答案： 空穴,升高
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    单选题
    半导体中施主能级的位置位于（）中。
    A

    禁带

    B

    价带

    C

    导带

    D

    满带


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。
    A

    价带，导带

    B

    价带，禁带

    C

    禁带，导带

    D

    导带，价带


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    在光电转换过程中，Si比GaAs量子效率低，因为其（）。
    A

    禁带较窄

    B

    禁带较宽

    C

    禁带是间接跃迁型

    D

    禁带是直接跃迁型


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    半导体中受主能级的位置位于（）中。
    A

    禁带

    B

    价带

    C

    导带

    D

    满带


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？

    正确答案： 这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    问答题
    直接带隙和间接带隙半导体有哪些区别？并分别给出一个实际的例子。

    正确答案： （1）直接带隙：
    A.价带极大值和导带极小值都位于k空间的原点；
    B.价带的电子跃迁到导带时，只要求能量的改变，而电子的准动量不发生变化，称为直接跃迁（c）直接跃迁对应的半导体材料称为直接禁带半导体。
    例子：GaAs，GaN，ZnO
    （2）间接带隙：
    A.价带的极大值和导带的极小值不位于k空间的原点上；
    B.价带的电子跃迁到导带时，不仅要求电子的能量要改变，电子的准动量也要改变，称为间接跃迁；
    C.间接跃迁对应的半导体材料称为间接禁带半导体。
    例子：Si，Ge
    解析： 暂无解析

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