二极管伏安特性曲线上有一个死区电压,什么是死区电压?
第1题:
此题为判断题(对,错)。
第2题:
何谓功率方向继电器的电压"死区"?采用整流型功率方向继电器有没有电压“死区”?为什么?
第3题:
当反向电压小于击穿电压是二极管处于()状态。
第4题:
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?
第5题:
下列()是二极管的主要参数。
第6题:
二极管正向导通的条件是()。
第7题:
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?
第8题:
二极管导通的条件是加在二极管两端的电压()
第9题:
硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第10题:
当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。
第11题:
对
错
第12题:
正极电压高于负极电压,且其差值大于“死区电压”
正极电压小于负极电压
正极电压高于负极电压,且其差值小于“死区电压”
正极电压等于负极电压
第13题:
什么是二极管伏安特性曲线上的死区电压?
第14题:
要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。
A对
B错
第15题:
硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。
第16题:
锗二极管的死区电压为()V,导通电压为()V
第17题:
当反向电压小于击穿电压时二极管处于()状态。
第18题:
要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。
第19题:
什么是二极管的死区电压?它是如何产生的?硅管和锗管的死区电压的典型值是多少?
第20题:
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第21题:
从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正偏导通状态。
第22题:
硅材料二极管的死区电压为0.3V。
第23题: