产生抑制性突触后电位的主要离子流是（ ）

题目

产生抑制性突触后电位的主要离子流是（ ）

相似考题

1.膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位()A、K+B、Na+C、Ca2+D、Cl-E、H+

2.(备选答案)A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.H+1.促使轴突末梢释放神经递质的离子是2.可产生抑制性突触后电位的离子基础是3.静息电位产生的离子基础是

3.抑制性突触后电位产生的离子机制是A．Na+内流B．K+勾流C．Ca2+内流D．K+外流E．C1-内流

4.膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（ ）。

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  • 第1题：

    可产生抑制性突触后电位的离子基础是

    A．K+

    B．Na+

    C．Ca2+

    D．Cl-

    E．H+


    正确答案：D

  • 第2题：

    产生抑制性突触后电位的主要离子基础是

    A．K+

    B．Na+

    C．Ca2+

    D．Cl-

    E．Mg2+


    正确答案：D

  • 第3题：

    产生抑制性突触后电位的主要离子基础是（ ）。


    正确答案：D

  • 第4题：

    可产生抑制性突触后电位的离子基础是
    A. K+
    B. Na+
    C. Ca2+
    D. Cl-
    E. H+


    答案：D
    解析：
    本题考核抑制性突触后电位的产生机制。Cl-是产生抑制性突触后电位的离子基础。突触前神经元轴突末梢释放抑制性递质→与突触后膜上相应的受体结合后→提高突触后膜对Cl-、K+等离子的通透性（尤其是Cl- ) →Cl-内流（为主）、K+外流→突触后膜超极化，产生抑制性突触后电位（IPSP)。

  • 第5题：

    可产生抑制性突触后电位的离子基础是

    A. K+
    B. Na+
    C. Ca2+
    D. Cl-
    E. H+

    答案：D
    解析：

  • 第6题：

    可产生抑制性突触后电位的离子基础是

    A．K+
    B．Na+
    C．Ca2+
    D．Cl-
    E．H+

    答案：D
    解析：

  • 第7题：

    突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

    A.Ca2+
    B.Cl-
    C.Na+
    D.K+
    E.Mg2+


    答案：B
    解析：

  • 第8题：

    抑制性突触后电位产生的离子机制是（）

    • A、Na+内流
    • B、K+内流
    • C、Ca2+内流
    • D、Cl-内流
    • E、K+外流

    正确答案:D

  • 第9题：

    单选题
    膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位？（　　）
    A

    B

    C

    D

    E


    正确答案： E
    解析：
    当突触后膜对Cl－通透性升高时，突触后膜处于超极化状态，产生抑制性突触后电位，细胞膜兴奋性下降。

  • 第10题：

    单选题
    抑制性突触后电位产生的离子机制是（）
    A

    Na+内流

    B

    K+内流

    C

    Ca2+内流

    D

    Cl-内流

    E

    K+外流


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    抑制性突触后电位产生的离子机制是（）。
    A

    Na+内流

    B

    K+内流

    C

    Ca2+内流

    D

    Clˉ内流

    E

    K+外流


    正确答案： A
    解析： 突触后膜电位在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性降低，这种电位变化称为抑制性突触后电位（IPSP）。其产生机制为：抑制性中间神经元释放抑制性递质→递质作用于突触后膜受体→突触后膜对Clˉ通透性升高→突触后膜发生超极化，即产生抑制性突触后电位。

  • 第12题：

    单选题
    抑制性突触后电位的形成主要与下列哪种离子有关（）
    A

    Cl—

    B

    K+

    C

    Na+

    D

    Fe2+

    E

    Ca2+


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

    A.Ca2+

    B.Cl

    C.Na+

    D.K+

    E.Mg2+


    参考答案：B

  • 第14题：

    抑制性突触后电位产生的离子机制主要是

    A．Na+内流

    B．K+外流

    C．Ca2+内流

    D．Cl-内流

    E．Na+内流和K+外流


    正确答案：D

  • 第15题：

    可产生抑制性突触后电位的离子基础是

    A.K+

    B.Na+

    C.Ca2+

    D.Cl—

    E.Mg2+


    正确答案：D

  • 第16题：

    A.K
    B.Na
    C.Ca
    D.Cl
    E.H

    可产生抑制性突触后电位的离子基础是

    答案：D
    解析：

    冲动传到突触前末梢，触发前膜中的Ca通道开放，一定量的Ca顺浓度差流入突触内，在Ca的作用下一定数量的突触泡将递质外排到突触间隙，此过程称胞吐。被释放的递质扩散到突触间隙，到达突触后膜，与位于后膜中的受体结合，故1题选C。抑制性突触后电位因为Cl通透性的增大导致突触后膜超极化而引起短路效应，使兴奋性突触后电位的去极化减少，而抑制了动作电位的发生。故2题选D。

  • 第17题：

    抑制性突触后电位产生的离子机制是
    A. Na+内流
    B. K+内流
    C. Ca 2+内流
    D. Cl -内流
    E. K+外流


    答案：D
    解析：

  • 第18题：

    A.Na
    B.Cl
    C.Mg
    D.Ca
    E.K

    突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

    答案：B
    解析：

  • 第19题：

    膜主要对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位 （　　）


    A.K+

    B.Na+

    C.Ca2+

    D.Cl-

    E.H+

    答案：D
    解析：

  • 第20题：

    焊接电弧三个部分作用描述正确的是（）。

    • A、阴极发射电子，阳极产生正离子
    • B、阴极提供电子流和接受正离子流
    • C、阳极接受电子流和提供正离子流
    • D、弧柱起电子流和正离子流的导电通路作用

    正确答案:B,C,D

  • 第21题：

    单选题
    下列哪项是抑制性突触后电位产生的离子机制?（　　）
    A

    Na+内流

    B

    K+内流

    C

    Ca2+内流

    D

    Cl－内流

    E

    K+外流


    正确答案： C
    解析：
    突触后膜电位在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性降低，这种电位变化称为抑制性突触后电位（IPSP）。其产生机制为抑制性中间神经元释放抑制性递质→递质作用于突触后膜受体→突触后膜对Cl－通透性升高→突触后膜发生超极化，即产生抑制性突触后电位。故本题答案为D项。

  • 第22题：

    单选题
    产生抑制性突触后电位时，突触后膜对哪种离子通透性升高？（　　）
    A

    B

    C

    D

    E


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）
    A

    K+

    B

    H+

    C

    Ca2+

    D

    Cl-

    E

    Na+


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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