更多“描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果?(仕兰微面试题目)”相关问题
  • 第1题:

    你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种?(仕兰微面试题目)


    正确答案:
            

  • 第2题:

    简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。(仕兰微面试题目)


    正确答案:
              

  • 第3题:

    是否接触过自动布局布线?请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基本元素

    ?(仕兰微面试题目)


    正确答案:
         

  • 第4题:

    列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么?(仕兰微面试题目


    正确答案:
                  

  • 第5题:

    半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?(仕兰微面试题目)


    正确答案:
            

  • 第6题:

    简单描述一个单片机系统的主要组成模块,并说明各模块之间的数据流流向和控制流流

    向。简述单片机应用系统的设计原则。(仕兰微面试题目)


    正确答案:
                

  • 第7题:

    PCI总线的含义是什么?PCI总线的主要特点是什么? (仕兰微面试题目)


    正确答案:
              

  • 第8题:

    请用方框图描述一个你熟悉的实用数字信号处理系统,并做简要的分析;如果没有,也

    可以自己设计一个简单的数字信号处理系统,并描述其功能及用途。(仕兰微面试题目)


    正确答案:
      

  • 第9题:

    说出OSI七层网络协议中的四层(任意四层)。(仕兰微面试题目)


    正确答案:
               

  • 第10题:

    我们将研发人员分为若干研究方向,对协议和算法理解(主要应用在网络通信、图象

    语音压缩方面)、电子系统方案的研究、用MCU、DSP编程实现电路功能、用ASIC设计技术

    设计电路(包括MCU、DSP本身)、电路功能模块设计(包括模拟电路和数字电路)、集成

    电路后端设计(主要是指综合及自动布局布线技术)、集成电路设计与工艺接口的研究.

    你希望从事哪方面的研究?(可以选择多个方向。另外,已经从事过相关研发的人员可以

    详细描述你的研发经历)。(仕兰微面试题目)


    正确答案:
        

  • 第11题:

    描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果。


    正确答案: Latch-up闩锁效应,又称寄生PNPN效应或可控硅整流器(SCR,Silicon Controlled Rectifier)效应。在整体硅的CMOS管下,不同极性搀杂的区域间都会构成P-N结,而两个靠近的反方向的P-N结就构成了一个双极型的晶体三极管。因此CMOS管的下面会构成多个三极管,这些三极管自身就可能构成一个电路。
    这就是MOS管的寄生三极管效应。如果电路偶尔中出现了能够使三极管开通的条件,这个寄生的电路就会极大的影响正常电路的运作,会使原本的MOS电路承受比正常工作大得多的电流,可能使电路迅速的烧毁。Latch-up状态下器件在电源与地之间形成短路,造成大电流、EOS(电过载)和器件损坏。

  • 第12题:

    填空题
    闩锁效应(可控硅效应),是CMOS电路遇到的()问题。在CMOS电路正常工作时,由于()的突然被激发,器件电流突然(),甚至很快因Al(),使电路失效。

    正确答案: 破坏性,寄生晶体管,大幅上升,连线熔断
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    描述你对集成电路设计流程的认识。(仕兰微面试题目)


    正确答案:
                

  • 第14题:

    请简述一下设计后端的整个流程?(仕兰微面试题目)


    正确答案:
        

  • 第15题:

    描述你对集成电路工艺的认识。(仕兰微面试题目)


    正确答案:
        

  • 第16题:

    请描述一下国内的工艺现状。(仕兰微面试题目)


    正确答案:
             

  • 第17题:

    什么是NMOS、PMOS、CMOS?什么是增强型、耗尽型?什么是PNP、NPN?他们有什么差别?(仕兰微面试题目)


    正确答案:
     

  • 第18题:

    用8051设计一个带一个8*16键盘加驱动八个数码管(共阳)的原理图。(仕兰微面试题目)


    正确答案:
             

  • 第19题:

    中断的概念?简述中断的过程。(仕兰微面试题目)


    正确答案:
           

  • 第20题:

    请简要描述HUFFMAN编码的基本原理及其基本的实现方法。(仕兰微面试题目)


    正确答案:
         

  • 第21题:

    你认为你从事研发工作有哪些特点?(仕兰微面试题目)


    正确答案:
         

  • 第22题:

    请谈谈对一个系统设计的总体思路。针对这个思路,你觉得应该具备哪些方面的知识

    ?(仕兰微面试题目)


    正确答案:
               

  • 第23题:

    问答题
    描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果。

    正确答案: Latch-up闩锁效应,又称寄生PNPN效应或可控硅整流器(SCR,Silicon Controlled Rectifier)效应。在整体硅的CMOS管下,不同极性搀杂的区域间都会构成P-N结,而两个靠近的反方向的P-N结就构成了一个双极型的晶体三极管。因此CMOS管的下面会构成多个三极管,这些三极管自身就可能构成一个电路。
    这就是MOS管的寄生三极管效应。如果电路偶尔中出现了能够使三极管开通的条件,这个寄生的电路就会极大的影响正常电路的运作,会使原本的MOS电路承受比正常工作大得多的电流,可能使电路迅速的烧毁。Latch-up状态下器件在电源与地之间形成短路,造成大电流、EOS(电过载)和器件损坏。
    解析: 暂无解析