电介质的tgδ值（ ）。A.随温度升高而下降 B.随频率增高而增加 C.随电压升高而下降 D.随湿度增加而增加

第1题：

有甲、乙、丙、丁四个场地，地震烈度和设计地震分组都相同。它们的等效剪切波速vse和场地覆盖层厚度列如下表。比较各场地的特征周期Tg，下列哪个选项是正确的？

(A)各场地的Tg值都不相等 (B)有两个场地的Tg值相等
(C)有三个场地的Tg值相等 (D)四个场地的Tg值都相等

第2题：

电介质强度这一名词指的是一个电场强度的值。

第3题：

表面电阻率反映电介质表面的导电能力，其值较小；体积电阻率反映电介质内部的导电能力，其值较大。

第4题：

当设备各部分的电介质损耗用差较大时，综合的tgδ主要代表并联电介质中的（）损耗角正切值。

第5题：

现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。

第6题：

酸酐类高压玻璃钢管道Tg值合格范围为（），胺类高压玻璃钢管道Tg值合格范围为（）。

第7题：

有n个试品的介质损耗因数分别为tgδ1、tgδ2、tgδ3、……、tgδn，若将它们并联在一起测得的总tgδ值必为tgδ1、……、tgδn中的（）。

• A、最大值； 
• B、最小值； 
• C、平均值； 
• D、某介于最大值与最小值之间的值。

第8题：

用倒相法消除外电场对tgδ测量的干扰，需要先在试验电源正、反相两种极性下，测量两组数据：C1tgδ1、C2tgδ2，然后按公式（）计算出试品的实际的tgδ值。

• A、tgδ=（tgδ1+tgδ2）/2
• B、tgδ=（C1tgδ1+C2tgδ2）/（C1-C2）
• C、tgδ=（C1tgδ1+C2tgδ2）/（C1+C2）
• D、tgδ=（C2tgδ1+C1tgδ2）/（C1+C2）

第9题：

为什么说tgδ（δ为介质损耗角）越大，电介质材料的绝缘性能越差？

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

什么叫介质损耗？为什么说tgδ（δ为介质损耗角）越大，电介质材料的绝缘性能越差？
在交流电电压作用下，电介质由于发热而损耗的能量叫做介质损耗。由于介质损耗是漏导电流和吸收电流造成的，漏导电流和吸收电流越大，介质损耗角δ越大，则tgδ越大，因此，tgδ越大，漏导电流和吸收电流越大，电介质材料的绝缘性能越差。
略

第14题：

当测到DW8—35断路器合闸对地的介损tgδ若超过规程规定，则可认为该相两支电容套管的tgδ值也超过规程值。

第15题：

斜探头折射角β的正切值为k值，即k=tgβ。

第16题：

电介质的tgδ值（）。

• A、随温度升高而下降
• B、随频率增高而增加
• C、随电压升高而下降
• D、随湿度增加而增加

第17题：

分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2„„tgδn，则并联在一起测得的介损值为这些值中的（）。

• A、最小值
• B、平均值
• C、最大值
• D、介于最大与最小值之间

第18题：

当设备各部分的介质损耗因数差别较大时，其综合的tgδ值接近于并联电介质中电容量最大部分的介质损耗数值。

第19题：

若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1＝5%，C1＝250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2＝0.4%，C2＝10000pF，则设备整体绝缘试验时，其总的tgδ值与（）接近。

• A、0.3%；
• B、0.5%；
• C、4.5%；
• D、2.7%。

第20题：

当电介质一定，外加电压及频率一定时，介质损耗P与tgδ（）

• A、成正比
• B、成反比
• C、成正弦关系
• D、成余弦关系

第21题：

关于电容型电流互感器高压介质损测量，下列说法正确的是（）。

• A、绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大，只在接近额定电压时才略微增加
• B、绝缘严重受潮的设备在较低的电压下，tgδ值就较大，随着电压的升高tgδ值增大
• C、发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时，tgδ急剧增高
• D、绝缘中含有离子型杂质的设备，tgδ随电压上升而下降

第22题：

第23题：