图中的晶体管均为硅管，测量的静态电位如图所示，处于放大状态的晶体管是哪个图所示？

题目
图中的晶体管均为硅管，测量的静态电位如图所示，处于放大状态的晶体管是哪个图所示？

相似考题

1.硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。

2.NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc=9V,UB=0.7V,UE=0V,则该晶体管的工作状态是()A、饱和B、正常放大C、截止

3.当晶体管的两个PN结都反偏时,则晶体管处于()。A、饱和状态B、放大状态C、截止状态

4.使晶体管处于放大状态的偏置状况是:()结正偏,()结反偏。

更多“图中的晶体管均为硅管，测量的静态电位如图所示，处于放大状态的晶体管是哪个图所示？ ”相关问题

  • 第1题：

    某一晶体管工作在放大状态,测得其三个极的电位分别为－ 0.7V、－1V、－6V,则下列说法错误的是()。

    A.此晶体管为硅管

    B.- 0.7V为发射极

    C.-1V为基极

    D.此晶体管为PNP管


    参考答案:A

  • 第2题：

    图中的晶体管均为硅管，测量的静态电位如图所示，处于放大状态的晶体管是哪个图所示？


    答案：C
    解析：
    提示：判断三极管是否工作在放大状态的依据共有两点:发射结正偏，集电结反偏。例如: 对于NPN型三极管来说，基极电位高于发射极电位(硅材料管的电压UBE大约为0. 7V，锗材料管的电压UBE大约为0.3V)，集电极电位高于基极电位。对于PNP型三极管来说，基极电位低于发射极电位，集电极电位低于基极电位。

  • 第3题：

    晶体管单管放大电路如图所示，当晶体管工作于线性区时，晶体管的输入电阻为Rbe，那么，该放大电电路的输入电阻为：

    A.Rbe
    B.RB1//RB2//rbe
    C.RB1//RB2//(RE+Rbe)
    D.RB1//RB2//[RE+(1+β)Rbe]


    答案：B
    解析：
    提示:画出放大电路的微变等效电路如解图所示。
    可见该电路的输入电阻为
    ri=rbe//RB1//RB2

  • 第4题：

    放大电路如图所示，设晶体管β=50，RC=1.5kΩ，UBE=0.6V，为使电路在可变电阻RW=0时，晶体管刚好进入饱和状态，电阻R应取（　　）kΩ。

    A．72
    B．100
    C．25
    D．50

    答案：A
    解析：

  • 第5题：

    晶体管电路如图所示，已知各晶体管的β= 50，那么晶体管处于放大工作状态的电路是（ ）。


    答案：C
    解析：
    解晶体管放大工作状态参数识别。
    答案：C

  • 第6题：

    差分放大电路如图所示，若晶体管VT1、VT2的参数对称，β均为50，rbe均为2.6kΩ。则差模电压放大倍数Aud约为（　　）。

    A．50
    B．-1
    C．1.3
    D．-11

    答案：D
    解析：
    图中差分放大电路为双端输入单端输出，此时差模放大倍数：

  • 第7题：

    NPN型晶体管处于放大状态时，各级的电位关系是（）。

    • A、UC﹥UE﹥UB
    • B、UC﹥UB﹥UE
    • C、UC﹤UB﹤UE

    正确答案:B

  • 第8题：

    极管的开关特性是指控制基极电流,使晶体管处于放大状态和截止关闭状态。


    正确答案:错误

  • 第9题：

    发射结处于正向偏置的晶体管，其一定是工作于放大状态。（）


    正确答案:错误

  • 第10题：

    由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态，所以常常是利用晶体管的特性曲线通过图解法来进行分析计算的。


    正确答案:正确

  • 第11题：

    处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。


    正确答案:错误

  • 第12题：

    单选题
    NPN型晶体管处于放大状态时，管脚电位应有（）。
    A

    VC＞VE＞VB

    B

    VC＞VB＞VE

    C

    VC＞VB＞VE

    D

    VB＞VE＞VC


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    晶体管单管放大电路如图所示，当晶体管工作于线性区时，晶体管的输入电阻为Rbe，那么，该放大电路的输入电阻为：


    答案：B
    解析：
    画出放大电路的微变等效电路如图所示。可见该电路的输入电阻为：

  • 第14题：

    图示的晶体管均为硅管，测量的静态电位如图所示，处于放大状态的晶体管是( )。

    A.
    B.
    C.
    D.

    答案：C
    解析：
    当发射结正偏、集电结反偏时，三极管工作在放大状态。A中，发射结反偏；B中，集电结正偏；D中，集电结正偏。

  • 第15题：

    晶体管单管放大电路如图所示，当晶体管工作于线性区时，晶体管的输入电阻为 rbe ，那么该放大电路的输入电阻为：

    （A）rbe（B）RB1 //RB2//rbe（C）RB1 //RB2//(RE+rbe)（D） RB1 //RB2//(RE+(1+β)rbe)


    答案：C
    解析：
    解：选C。
    单管放大电路Ucc 直流电源两端电压恒定，内阻等于零，对交流信号相当于短路。放大电路的输入电阻是从其输入端口看进去的交流等效电阻。

  • 第16题：

    晶体管电路图如下，已知各晶体管的β=50，那么晶体管处于放大工作状态的电路是（　　）。




    答案：C
    解析：

  • 第17题：

    设所有的二极管X晶体管为硅管，二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结导通压降UBE＝0.7V，则图中各晶体管的工作状态正确的是（　　）。


    A． VT1饱和，VT2饱和
    B． VT1截止，VT2饱和
    C． VT1截止，VT2放大
    D． VT1放大，VT2放大

    答案：C
    解析：
    二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结正向导通压降为0.7V，所以：
    图a）中，由于参考点电位为0.3V，1V的基极电压不足以使其导通，所以VT1截止，即：UE＞UB＞UC，三极管截止。
    图b）中，UB＝6V，UE＝6－0.7＝5.3V，IE＝（6－0.7）/1000＝5.3mA，UC＝12－5.3＝6.7V
    则：UC＞UB＞UE，即VT2处于放大状态。

  • 第18题：

    晶体管处于放大状态的内部条件和外部条件是什么？


    正确答案: 内部条件是：发射区掺杂浓度最大，基区薄且掺杂浓度最小，集电区区域最大。
    外部条件是：发射结正偏，集电结反偏。

  • 第19题：

    检查放大器中的晶体管在静态时是否进入截止区，最简便的方法是测量ICQ。


    正确答案:错误

  • 第20题：

    硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为（）V和（）V。


    正确答案:0.7；0.3

  • 第21题：

    晶体三极管的开关特性是指控制基极电流，使晶体管处于放大状态和截止关闭状态。


    正确答案:错误

  • 第22题：

    对于双极型晶体三极管（简称晶体管），如下不正确的描述是（）。

    • A、晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态
    • B、晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区
    • C、晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示
    • D、晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态

    正确答案:C

  • 第23题：

    处于放大状态的晶体管，集电极电流是由多子扩散运动形成的。


    正确答案:错误

  • 第24题：

    单选题
    图示的晶体管均为硅管，测量的静态电位如图所示，处于放大状态的晶体管是（）。
    A

    A

    B

    B

    C

    C

    D

    D


    正确答案： D
    解析： 当发射结正偏、集电结反偏时，三极管工作在放大状态。A中，发射结反偏；B中，集电结正偏；D中，集电结正偏。

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