A.发射极
B.基极
C.集电极
D.不确定
第1题:
8、IGBT的饱和工作原理是()。
A.MOSFET的沟道夹断,饱和漏电流作为pnp晶体管的基极电流时期工作做放大状态。
B.MOSFET的漏极电流引起pnp晶体管发射极注入,形成传导电流。
C.MOSFET的沟道夹断,pnp晶体管工作在截至状态。
D.MOSFET的漏极电流使pnp晶体管工作在饱和状态。
第2题:
【判断题】晶体管工作在放大状态时,集电极电位最高,发射极电位最低。
A.Y.是
B.N.否
第3题:
【单选题】对 PNP 型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A.发射极
B.基极
C.集电极
第4题:
PNP型晶体管工作在放大区时,发射极电流的方向是流出管子的。
第5题:
BJT工作在放大状态时,集电极电位最高,发射极电位最低。