试说明电力电子器件和信息系统中的电子器件相比，有何不同。

题目

试说明电力电子器件和信息系统中的电子器件相比，有何不同。

相似考题

1.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可以将电力电子器件分为______、______和______。

2.下列全控型电力电子器件中属于双极型器件有（）。A、GTRB、GTOC、SITD、SITH

3.电力电子器件是构成变频器的关键器件之一。下列电力电子器件中属于半控型器件的是（）A、SCRB、GTR或BJTC、MOSFETD、IGBT

4.电力电子器件主要用于高电压、大电流的装置中,为避免过大的功率损耗,电力电子器件稳态时通常工作在______与______两种工作状态。

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  • 第1题：

    UPS常用的电力电子器件有：（）

    • A、GTR；
    • B、MOSFET；
    • C、IGBT；
    • D、SCR

    正确答案:B,C,D

  • 第2题：

    电力电子器件的保护分为（）和（）两类。


    正确答案:过压保护；过流保护

  • 第3题：

    电力电子器件为什么能够承受高电压和大电流？


    正确答案: 1、电力二极管大都是垂直导电结构，垂直导电结构使得硅片中通过电流的有效面积增大，可以提高二极管的通流能力。
    2、电力二极管在P区和N区之间多了一层低参杂N区，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。

  • 第4题：

    现代电力电子器件分为（）、（）和（）三类。


    正确答案:不可控型器件；半控型器件；全控型器件

  • 第5题：

    电力电子器件的驱动电路分为（）和（）。


    正确答案:电流驱动型；电压驱动型

  • 第6题：

    试列举你所知道的电力电子器件，并从不同的角度对这些电力电子器件进行分类。目前常用的控型电力电子器件有哪些？


    正确答案:1.按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：
    （1）半控型器件：晶闸管及其派生器件
    （2）全控型器件：IGBT，MOSFET，GTO，GTR
    （3）不可控器件：电力二极管
    2.按照驱动信号的波形（电力二极管除外）
    （1）脉冲触发型：晶闸管及其派生器件
    （2）电平控制型：（全控型器件）IGBT，MOSFET，GTO，GTR
    3.按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类：
    （1）单极型器件：电力MOSFET，功率SIT，肖特基二极管
    （2）双极型器件：GTR，GTO，晶闸管，电力二极管等
    （3）复合型器件：IGBT，MCT，IGCT等
    4.按照驱动电路信号的性质，分为两类：
    （1）电流驱动型：晶闸管，GTO，GTR等
    （2）电压驱动型：电力MOSFET，IGBT等
    常用的控型电力电子器件：门极可关断晶闸管，电力晶闸管，电力场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管。

  • 第7题：

    以下说法正确的是（）

    • A、电力电子技术包括电力电子器件、变流电路和控制电路三个部分，电力电子器件技术、变流电路技术两部分
    • B、电力电子器件是电力电子技术的基础
    • C、变流技术虽然发展快但是没有成为电力电子技术的核心
    • D、电力电子技术突出对“电力”变换

    正确答案:A,B,D

  • 第8题：

    单选题
    在电力电子器件中，全控型电力电子元件有（）
    A

    PD

    B

    SCR

    C

    GTO

    D

    FST


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    填空题
    按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为（）和（）两类。

    正确答案： 电压型,电流型
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    试列举你所知道的电力电子器件，并从不同的角度对这些电力电子器件进行分类。目前常用的控型电力电子器件有哪些？

    正确答案： 1.按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：
    （1）半控型器件：晶闸管及其派生器件
    （2）全控型器件：IGBT，MOSFET，GTO，GTR
    （3）不可控器件：电力二极管
    2.按照驱动信号的波形（电力二极管除外）
    （1）脉冲触发型：晶闸管及其派生器件
    （2）电平控制型：（全控型器件）IGBT，MOSFET，GTO，GTR
    3.按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类：
    （1）单极型器件：电力MOSFET，功率SIT，肖特基二极管
    （2）双极型器件：GTR，GTO，晶闸管，电力二极管等
    （3）复合型器件：IGBT，MCT，IGCT等
    4.按照驱动电路信号的性质，分为两类：
    （1）电流驱动型：晶闸管，GTO，GTR等
    （2）电压驱动型：电力MOSFET，IGBT等
    常用的控型电力电子器件：门极可关断晶闸管，电力晶闸管，电力场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    电力电子器件的缓冲电路有（）和（）两类。

    正确答案： 耗能型,馈能式
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    试分析电力电子器件串并联使用时可能出现什么问题及解决方法。

    正确答案： 采用多个功率管串联时，应考虑断态时的均压问题。应在功率管两端并联电阻均衡静态压降，并联RC电路均衡动态压降。
    采用多个功率管并联时，应考虑功率管间的均流问题。在进行并联使用时，应尽选择同一型号且同一生产批次的产品，使其静态和动态特性均比较接近。其中功率MOSFET沟道电阻具备正温度系数，易于并联。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    UPS常用的电力电子器件有：（）

    • A、GTR
    • B、MOSFET；
    • C、IGBT；
    • D、SCR

    正确答案:B,C,D

  • 第14题：

    电力电子器件的分类


    正确答案: （1）从门极驱动特性可以分为：电压型和电流型
    （2）从载流特性可以分为：单极型、双极型和复合型
    （3）从门极控制特性可以分为：不可控、半控及全控型

  • 第15题：

    电力电子器件的缓冲电路有（）和（）两类。


    正确答案:耗能型；馈能式

  • 第16题：

    试分析电力电子器件串并联使用时可能出现什么问题及解决方法。


    正确答案:采用多个功率管串联时，应考虑断态时的均压问题。应在功率管两端并联电阻均衡静态压降，并联RC电路均衡动态压降。
    采用多个功率管并联时，应考虑功率管间的均流问题。在进行并联使用时，应尽选择同一型号且同一生产批次的产品，使其静态和动态特性均比较接近。其中功率MOSFET沟道电阻具备正温度系数，易于并联。

  • 第17题：

    按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为（）和（）两类。


    正确答案:电压型；电流型

  • 第18题：

    简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。


    正确答案:门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
    电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
    场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
    绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。

  • 第19题：

    简述电力电子器件的发展。


    正确答案: SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT、IPM

  • 第20题：

    填空题
    电力电子器件的驱动电路分为（）和（）。

    正确答案： 电流驱动型,电压驱动型
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    试说明电力电子器件和信息系统中的电子器件相比，有何不同。

    正确答案： 具有较大的耗散功率；通常工作在开关状态；需要专门的驱动电路来控制；需要缓冲和保护电路。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    在电力电子器件中，电压型电力电子元件有（）。
    A

    IGBT

    B

    SCR

    C

    GTO

    D

    FST


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

    正确答案： 门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
    电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
    场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
    绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。
    解析： 暂无解析

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