单选题tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线，则试品属于（）。A 良好绝缘B 绝缘中存在气隙C 绝缘受潮

第1题：

当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。

A对

B错

第2题：

当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。

A对

B错

第3题：

当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。

第4题：

当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。

第5题：

当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。

第6题：

tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线，则试品属于（）。

• A、良好绝缘
• B、绝缘中存在气隙
• C、绝缘受潮

第7题：

对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而基本不变。

第8题：

有n个试品的介质损耗因数分别为tanδl、tanδ2、tanδ3、…、tanδn，若将它们并联在一起测得的总tanδ值必为tanδl、…、tanδn中的（）。

• A、最大值
• B、最小值
• C、平均值
• D、某介于最大值与最小值之间的值

第9题：

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。

A对

B错

第14题：

西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。

第15题：

当试品绝缘受潮时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线。

第16题：

M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P，则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。

第17题：

当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。

第18题：

对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而降低。

第19题：

当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成（）。

• A、反比
• B、正比
• C、U形曲线比例关系

第20题：

按提高运行电压需要来确定补偿容量时应使用（）。

• A、QC=PCOSφ
• B、Qc=P（tanφ1-tanφ3）
• C、Qc=U2ΔU/X
• D、C=P（tanφ1-tanφ2）/2πfU3

第21题：

第22题：

第23题：

第24题：