判断题在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。A 对B 错

第1题：

采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。

A对

B错

第2题：

西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。

第3题：

用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的tg∮具体接法是：高压绕组A端加压，X端和底座接地；二次测量绕线和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连；电桥按正接线方式工作。

第4题：

采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。

第5题：

西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。

• A、正接线
• B、反接线
• C、交叉接线

第6题：

在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

第7题：

在现场相同条件下（好天气），用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。

第8题：

小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。

第9题：

用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。

第14题：

在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

第15题：

QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。

第16题：

采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。

第17题：

为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？

第18题：

用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？

第19题：

变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。

第20题：

用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线？

第21题：

现场测试中，使用QS1电桥测tgδ%，下列设备哪些适合正接线。（）

• A、变压器本体
• B、变压器电容型套管
• C、耦合电容器
• D、CVT

第22题：

第23题：

第24题：