对半导体的叙述正确的是（）。A、半导体即超导体B、半导体即一半导电一半不导电C、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质D、半导体是经过处理的绝缘体

题目

对半导体的叙述正确的是（）。

  • A、半导体即超导体
  • B、半导体即一半导电一半不导电
  • C、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质
  • D、半导体是经过处理的绝缘体
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1.对半导体探头特点的错误描述是：()。A.灵敏度高B.灵敏体积小C.适于测量梯度变化大的区域D.探头压低E.物理密度较空气低

2.半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。A.性能参数B.转移特性C.内部性能D.特性曲线

3.半导体器件的参数有多种测试方法,但是对半导体管比较完善的测试方法是动态显示法,为此就应选用半导体管特性图示仪。()此题为判断题(对，错)。

4.正确叙述半导体的是()。A、半导体即超导体B、半导体即一半导电一半不导电C、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质D、半导体是经过处理的绝缘体

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  • 第1题：

    保护导体、保护联结导体的正确定义是（）。

    A.保护导体是为安全目的（如电击防护）而设置的导体；
    B.保护导体是为防护性或功能性接地而设置的导体；
    C.保护联结导体是为保护性等电位联结而设置的导体；
    D.保护联结导体是保护导体和等电位联结导体的统称。

    答案：A,C
    解析：

  • 第2题：

    下面关于电流形成磁场的叙述中，正确的是（）

    • A、电流通过长圆柱导体形成的磁场是以导体为轴线的同心圆
    • B、电流通过线圈产生的磁场大小，各个位置是相同的
    • C、通电导体内的磁场与距导体中心的距离成反比
    • D、磁场只存在于电流流过的导体内部
    • E、A和C是对的

    正确答案:E

  • 第3题：

    对半导体探头特点的错误描述是（　）

    • A、灵敏度高 
    • B、灵敏体积小 
    • C、适于测量梯度变化大的区域 
    • D、探头压低 
    • E、物理密度较空气低

    正确答案:E

  • 第4题：

    下面关于涡流的叙述中，指出正确的句子（）.

    • A、当导体中的磁力线变化时，在磁力线周围产生感生电流
    • B、当导体中的磁力线被缺陷隔断时，在那里产生涡流
    • C、导体中的涡流在导体中心部分较大，随着靠近表面，涡流大小明显下降
    • D、导体中的涡流靠近导体表面较大，中心部分的电流密度比表面层要低得多
    • E、a和d是正确的

    正确答案:E

  • 第5题：

    下列关于地线的叙述正确的是（）。

    • A、挂接地线时，先接接地端，后接导体端
    • B、挂接地线时，先接导体端，后接接地端
    • C、拆除接地线要先拆导体端，后拆接地端
    • D、拆除接地线要先拆接地端，后拆导体端

    正确答案:A,D

  • 第6题：

    当关掉电源后，对半导体存储器而言，下列叙述正确的是（）。

    • A、RAM的数据不会丢失
    • B、ROM的数据不会丢失
    • C、CPU中数据不会丢失
    • D、ALU中数据不会丢失

    正确答案:B

  • 第7题：

    保护导体、保护联结导体的正确定义是（）。

    • A、保护导体是为安全目的（如电击防护）而设置的导体
    • B、保护导体是为防护性或功能性接地而设置的导体
    • C、保护联结导体是为保护性等电位联结而设置的导体
    • D、保护联结导体是保护导体和等电位联结导体的统称

    正确答案:A,C

  • 第8题：

    半导体管图示仪在对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。

    • A、性能参数
    • B、转移特性
    • C、内部性能
    • D、特性曲线

    正确答案:D

  • 第9题：

    单选题
    对半导体探头特点的错误描述是（　）
    A

    灵敏度高 

    B

    灵敏体积小 

    C

    适于测量梯度变化大的区域 

    D

    探头压低 

    E

    物理密度较空气低


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    填空题
    半导体的需求主要依赖于（）和（）的增长，而间接需求即生产过程中对半导体的需求更是需求的主要来源。

    正确答案： 直接需求、间接需求
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    简述半导体中浅能级和深能级掺杂对半导体的导电有何影响？

    正确答案： 深能级：
    1）可以成为有效复合中心，大大降低载流子的寿命；
    2）可以成为非辐射复合中心，影响半导体的发光效率；
    3）可以作为补偿杂质，大大提高半导体材料的电阻率。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    半导体中的杂质对半导体的能带结构和电学性质有何影响？

    正确答案： 掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同，本征半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施主原子会在靠近导带的地方产生一个新的能阶，而受主原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。深能级杂质对半导体导电性质影响较小，浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    半导体管图示仪对半导体器件进行测量时的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体的（）

    • A、性能参数
    • B、转移特性
    • C、内部性能
    • D、特性曲线

    正确答案:D

  • 第14题：

    对半导体剂量计的描述，不正确的是（）

    • A、N型硅晶体适合辐射剂量测量
    • B、适于测量半影区剂量分布
    • C、直接测量电子束深度剂量曲线
    • D、比标准电离室更灵敏，体积更小
    • E、剂量响应随温度改变会发生变化

    正确答案:A

  • 第15题：

    半导体器件的参数有多种测试方法，但是对半导体管比较完善的测试方法是动态显示法，为此就应选用半导体管特性图示仪。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    下列关于电流形成磁场的叙述，正确的说法是（）。

    • A、 电流形成的磁场与电流方向平行
    • B、 电流从一根导体中流过时，用右手定则确定磁场方向
    • C、 通电导体周围的磁场强度与电流大小无关
    • D、 通电导体周围的磁场强度与距导体的距离无关

    正确答案:B

  • 第17题：

    为了制造性能良好的太阳电池，必须对半导体材料的理化特性加以选择，请问有哪几种物理特性需要着重考虑？


    正确答案: 1、能隙宽度
    2、能隙类型
    3、少子寿命
    4、迁移率和电导率
    5、光学吸收系数
    6、光学折射率

  • 第18题：

    对半导体而言，其正确的说法是（）

    • A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电
    • B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电
    • C、P型半导体和N型半导体本身都不带电
    • D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子

    正确答案:C

  • 第19题：

    光照对半导体的导电性能的影响（）。

    • A、很小；
    • B、很大；
    • C、不大；
    • D、无。

    正确答案:B

  • 第20题：

    温度对半导体器件的工作性能没有影响。


    正确答案:错误

  • 第21题：

    单选题
    下面关于电流形成磁场的叙述中，正确的是（）
    A

    电流通过长圆柱导体形成的磁场是以导体为轴线的同心圆

    B

    电流通过线圈产生的磁场大小，各个位置是相同的

    C

    通电导体内的磁场与距导体中心的距离成反比

    D

    磁场只存在于电流流过的导体内部

    E

    A和C是对的


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    下面关于涡流的叙述中，指出正确的句子（）.
    A

    当导体中的磁力线变化时，在磁力线周围产生感生电流

    B

    当导体中的磁力线被缺陷隔断时，在那里产生涡流

    C

    导体中的涡流在导体中心部分较大，随着靠近表面，涡流大小明显下降

    D

    导体中的涡流靠近导体表面较大，中心部分的电流密度比表面层要低得多

    E

    a和d是正确的


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    通过对半导体激光器采用（）来获得调制光信号
    A

    外调制

    B

    直接调制

    C

    相位调制

    D

    电光调制


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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