在对运行中设备进行介质损失角ｔｇδ测量结果进行分析时，ｔｇδ的绝对值虽符合20℃时标准值，但并不能完全说明该设备的绝缘状况良好。（）
题目
在对运行中设备进行介质损失角ｔｇδ测量结果进行分析时，ｔｇδ的绝对值虽符合20℃时标准值，但并不能完全说明该设备的绝缘状况良好。（）
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第1题：
分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时，应特别注意哪些外界因素的影响？
正确答案: 应特别注意的外界影响因素有：
①电力设备绝缘表面脏污。
②电场干扰和磁场干扰。
③试验引线的设置位置、长度。
④温度与湿度。
⑤周围环境杂物等。 -
第2题：
介质损耗因数tg∮试验，可以发现设备绝缘整体受潮、劣化变质、以及小体积设备绝缘的某些局部缺陷。
正确答案:正确 -
第3题：
绝缘良好的电气设备，其tgδ值随电压的升高而（）。
正确答案:没有明显的增加 -
第4题：
介质损失角tgQ的实测值为负值时，说明被测设备根本没有介质损失。（）
正确答案:错误 -
第5题：
介质损失角正切tgδ越大介质损耗越大吗？
正确答案: 绝缘介质在交流电压作用下的介质损耗有两种：一是由电导引起的电导损耗，二是由极化引起的极化损耗。介质中如无损耗，则流过的电流是纯无功电容电流，并超前电压向量90°。如介质中有损耗则电流存在有功分量，其大小可代表介质损耗的大小。这时，总电流与电容电流之间有一δ角，该角正切值等于有功电流与无功电流的比，tgδ越大，有功电流越大，说明介质损耗越大。 -
第6题：
对于运行中的绝缘油70℃时的tgδ值标准为不大于（）
- A、0.6%
- B、0.8%
- C、1.5%
- D、2.0%
正确答案:D -
第7题：
由于运行设备常一端接地，因此现场普遍使用电桥（）接线进行测量绝缘的介质损失角。
- A、正接线
- B、反接线
- C、角接线
- D、移相法
正确答案:B -
第8题：
测量介质损耗正切值tgδ时出现负数现象的原因是什么？
正确答案: 有三种原因：1）标准电容器的介损大于被试品介损；
2）电场干扰；
3）空间干扰。 -
第9题：
在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
正确答案:错误 -
第10题：
测量tgδ值是判断电气设备绝缘状态的一项灵敏有效的方法。
正确答案:正确 -
第11题：
关于电容型电流互感器高压介质损测量，下列说法正确的是（）。
- A、绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大，只在接近额定电压时才略微增加
- B、绝缘严重受潮的设备在较低的电压下，tgδ值就较大，随着电压的升高tgδ值增大
- C、发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时，tgδ急剧增高
- D、绝缘中含有离子型杂质的设备，tgδ随电压上升而下降
正确答案:A,B,C,D -
第12题：
判断题现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第13题：
若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1＝5%，C1＝250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2＝0.4%，C2＝10000pF，则设备整体绝缘试验时，其总的tgδ值与（）接近
- A、0.003
- B、0.005
- C、0.045
- D、0.027
正确答案:B -
第14题：
现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。
正确答案:错误 -
第15题：
在对运行中设备进行介质损失角tgQ测量结果进行分析时，tgQ的绝对值虽符合20℃时标准值，但并不能完全说明该设备的绝缘状况良好。（）
正确答案:正确 -
第16题：
测量高压设备绝缘介质损失角正切值tg，一般使用的试验设备是（）。
- A、QS1型西林电桥
- B、欧母表
- C、电压表
- D、兆欧表
正确答案:A -
第17题：
介质损失角tgδ的实测值为负值时，说明被测设备根本没有介质损失。（）
正确答案:错误 -
第18题：
检查电气设备的基本方法有（）。
- A、利用兆欧表测量绝缘电阻
- B、利用高压硅整流装置进行直流耐压实验和电流泄漏测量
- C、利用介质损失角测量器测量介质损失角的正切值
- D、利用交流升压设备进行交流耐压试验
正确答案:A,B,C,D -
第19题：
当设备各部分的介质损耗因数差别较大时，其综合的tgδ值接近于并联电介质中电容量最大部分的介质损耗数值。
正确答案:正确 -
第20题：
为什么说测量电气设备的介质损耗因数tgδ，对判断设备绝缘的优劣状况具有重要意义？
正确答案: 在绝缘受潮和有缺陷时，泄漏电流要增加，在绝缘中有大量气泡、杂质和受潮的情况，将使夹层极化加剧，极化损耗要增加。这样，介质损耗角正切tgδ的大小就直接与绝缘的好坏状况有关。同时，介质损耗引起绝缘内部发热，温度升高，这促使泄漏电流增大，有损极化加剧，介质损耗增大使绝缘内部更热，如此循环，可能在绝缘弱的地方引起击穿，故介质损耗值既反映了绝缘本身的状态，又可反映绝缘由良好状况向劣化状况转化的过程。同时介质损耗本身就是导致绝缘老化和损坏的一个因素。 -
第21题：
若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1＝5%，C1＝250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2＝0.4%，C2＝10000pF，则设备整体绝缘试验时，其总的tgδ值与（）接近。
- A、0.3%；
- B、0.5%；
- C、4.5%；
- D、2.7%。
正确答案:B -
第22题：
电容型绝缘结构的设备，当末屏处产生悬浮电位时，介质参数的明显表征是（）。
- A、tgδ升高
- B、绝缘电阻下降
- C、局部放电量骤增
正确答案:C -
第23题：
问答题测量设备的介质损失角正切值tgδ时，现场有哪两种方式？分别用在什么情况下使用？正确答案： （1）有正接法和反接法两种。
（2）正接法用于两极对地均绝缘的被试品，反接法用于有一端固定接地的被试品。解析： 暂无解析